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光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。

  • A、光子效应
  • B、霍尔效应
  • C、热电效应
  • D、压电效应

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考题 电涡流传感器是利用( )材料的电涡流效应工作的。 A: 金属导体B: 半导体C: 非金属材料D: 陶瓷材料
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考题 若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
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考题 压阻式压力传感器是利用半导体材料的（）和集成电路工艺制成的传感器。
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考题 半导体材料发生光电效应，对入射光的频率有什么要求？
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考题 压电式压力传感器是利用某些材料的压电效应原理制成的，具有这种效应材料如：压电陶瓷，压电晶体
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考题 CCD在中文名称是（）.A、半导体材料B、电荷耦合部件C、传感器D、金属半导体
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考题 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称（）效应；入射光强改变物质导电率的现象称（）效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称（）效应。
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考题 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
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考题 光电池处于零偏或负偏时，产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi，式中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长（）A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg
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考题 压电式压力传感器是利用某些材料的压电效应原理制成的，具有这种效应的材料有压电陶瓷等。
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考题 半导体应变片传感器的工作原理是基于（）效应，它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数（）；压阻效应是指（）半导体材料在沿着某一轴向受到（）作用时，其（）发生变化的现象。涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的（）效应。
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考题 电涡流式传感器是利用（）材料的电涡流效应工作的。A、金属导电B、半导体C、非金属D、PVF2
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考题 磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子或空穴随磁场改变密度大小这一特性制成。
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考题 压阻式传感器是利用半导体材料压阻效应制作的电阻式应变传感器，其性能优于金属应变效应制作的电阻式应变传感器，主要用于压力测量。
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考题 将温度转换为电势大小的热电式传感器是（）传感器，而将温度变化转换为电阻大小的热电式传感器是（）（金属材料）或（）（半导体材料）。
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考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
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考题 单选题光子探测是利用入射光和磁，产生（），使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应
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考题 填空题光子探测是利用半导体材料在入射光照射下产生（）。
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考题 单选题电涡流式传感器是利用（）材料的电涡流效应工作的。A 金属导电B 半导体C 非金属D PVF2
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考题 填空题半导体应变片传感器的工作原理是基于（）效应；涡电流式传感器的工作原理是利用金属导体在交变磁场中的（）效应；压电式传感器的工作原理是利用某些材料的（）效应。
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考题 填空题压电式传感器是利用某些材料的（）特性来制作的传感器。
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考题 单选题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应
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考题 单选题光照到某些金属或半导体材料上，若入射的光子能量足够大，致使电子从材料中逸出，称为（）效应。A 光电导效应；B 光生伏特效应；C 内光电效应；D 光电发射。
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考题 单选题下列关于半导体硅太阳能电池的说法，正确的是（）A 利用光的量子特性，使硅材料中的电子发生能级跃迁，产生电势差B 利用光照使硅材料发生化学反应，产生电荷的移动和电位差C 利用光照使硅材料燃烧发电D 太阳光照射到硅材料上，会产生激光
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考题 判断题当光辐射照在某些材料的表面上时，若入射光的光子能量足够大，就能使材料的电子逸出表面，向外发射出电子，这种现象叫内光电效应或光电子发射效应。A 对B 错
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考题 单选题利用半导体材料的电阻随温度变化的特性制成的是（）。A 热电阻传感器B 热敏电阻传感器C 热电偶传感器D 热敏电偶传感器
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