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填空题
光子探测是利用半导体材料在入射光照射下产生()。
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考题
在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射
考题
光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。 A、光子效应B、霍尔效应C、热电效应D、压电效应
考题
光电池处于零偏或负偏时,产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi,式中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长()A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg
考题
单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是()A
入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B
入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C
入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D
入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射E
入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射
考题
单选题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。A
光子效应B
霍尔效应C
热电效应D
压电效应
考题
单选题下列关于半导体硅太阳能电池的说法,正确的是()A
利用光的量子特性,使硅材料中的电子发生能级跃迁,产生电势差B
利用光照使硅材料发生化学反应,产生电荷的移动和电位差C
利用光照使硅材料燃烧发电D
太阳光照射到硅材料上,会产生激光
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