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填空题
光子探测是利用半导体材料在入射光照射下产生()。

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考题 维生素A在光照射下产生的无生物活性的聚合物(二聚物)( )。

考题 在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

考题 某金属的逸出功为A,使用某种光照射时产生的光电子动能是逸出功的2倍。则入射光子的能量是( )A.1.5AB.2AC.2.5AD.3A

考题 不影响半导体剂量计的剂量响应的是()A、温度B、气压C、剂量率D、入射角度E、入射光子能谱

考题 闪烁探测器中闪烁体的作用是A、产牛电子B、产生电脉冲C、产牛荧光D、使入射γ光子数量增加E、以上均正确

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考题 光电池处于零偏或负偏时,产生的光电流Ip与输入光功率Pi的关系是Ip=RPi,式中R为响应率,R值随入射光波长的不同而变化,对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长()A、在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙EgB、在长波长处要求入射光子的能量小于材料的能级间隙Eg

考题 在日光照射下,塑料不会产生()。A、老化B、龟裂C、变色D、增亮

考题 闪烁探测器中闪烁体的作用是()。A、产生电子B、产生电脉冲C、产生荧光D、使入射γ光子数量增加E、以上均正确

考题 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为(),入射光强改变物质导电率的物理现象称为()。

考题 单选题光子探测是利用入射光和磁,产生(),使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应

考题 判断题粉末快速成形是利用粉末材料在激光照射下烧结的原理,在激光束控制下逐层堆积成型。A 对B 错

考题 单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是()A 入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B 入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C 入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D 入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射E 入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

考题 问答题光信号(光束)入射到半导体材料后,如何产生电子空穴对?

考题 单选题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下,产生().使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化,可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应

考题 单选题光照到某些金属或半导体材料上,若入射的光子能量足够大,致使电子从材料中逸出,称为()效应。A 光电导效应;B 光生伏特效应;C 内光电效应;D 光电发射。

考题 填空题半导体受到光照时,由于吸收光子使其中的载流子浓度增大,因而导致材料的电导率增大,称为()效应。

考题 单选题闪烁探测器中闪烁体的作用是()。A 产生电子B 产生电脉冲C 产生荧光D 使入射γ光子数量增加E 以上均正确

考题 单选题下列关于半导体硅太阳能电池的说法,正确的是()A 利用光的量子特性,使硅材料中的电子发生能级跃迁,产生电势差B 利用光照使硅材料发生化学反应,产生电荷的移动和电位差C 利用光照使硅材料燃烧发电D 太阳光照射到硅材料上,会产生激光