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利用反向偏压p-n结在入射光照射下产生光生电流的光器件是()。

A、LED

B、LD

C、PIN

D、APD


参考答案

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考题 光敏晶体管是利用物质在光的照射下电导性能改变或产生()而制成的光电器件。A、外光电效应B、光电导效应C、光生伏特效应

考题 为了使雪崩光电二极管正常工作,在其P-N结上应加()A.高正向偏压B.低正向偏压C.低反向偏压D.高反向偏压

考题 光生伏特效应是利用光照条件下载流子在p-n结区附近产生一个正向电压

考题 PN结上有内建电场。当PN结加上反向电压后,入射光主要在耗尽区被吸收,在耗尽区产生光生载流子(电子空穴对)。在耗尽区电场作用下,电子向N区漂移,空穴向P区漂移,产生光生电动势。在远离PN结的地方,因没有电场的作用,电子空穴作扩散运动,产生()。因I层宽。加了反偏压后,空间电荷区加宽,绝大多数光生载流于部落在耗尽层内进行高效、高速漂移,产生()。漂移电流远远大干扩散电流,所以PIN光电二极管的灵敏度高。A.扩散电流、漂移电流B.扩散电流、扩散电流C.漂移电流、扩散电流D.漂移电流

考题 光伏器件外加反向偏压时,暗电流随反向偏压的增加有所增大,最后趋近于反向饱和电流。

考题 光电检测器是外加反向偏压的PN结,当入射光作用时,发生受激吸收产生 光生电子-空穴对,这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流,同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层,在电场作用下形成扩散电流,这两部分电流之和为光生电流。

考题 随着反向偏压的增加,开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时,光电流急剧增加,最后器件被击穿,这个电压称为击穿电压

考题 2、关于光照下PN结的伏安特性,下列说法正确的是() (多选) A 第一象限中,PN结处于正向偏压作用下,作为光伏探测器工作在这个区域是没有意义的 B 第三象限中,PN结在反向偏压作用下,这种工作模式为光电导模式 C 第四象限中,PN结无外加偏压,这种工作模式称为光伏模式 D 以上说法都不正确

考题 光伏器件外加反向偏压时,暗电流随反向偏压的增加有所增大,最后趋近于反向饱和电流。()