网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。
参考答案
更多 “用8253-5通道1作为DRAM刷新定时器，动态存储器要求在2ms内对全部128行存储单元刷新一遍，假定计数用的时钟频率为2MHz，问该通道应工作在什么方式？请写出控制字和计数值（用16进制数表示）。” 相关考题
考题
下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是（ ）。A．RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类B．SRAM的集成度比DRAM高C． DRAM的存取速度比SRAM快D．DRAM中存储的数据无须刷新
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④
考题
以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新
考题
下列关于DRAM的叙述，正确的是A.DRAM是一种随机存储器B.DRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息C.DRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失D.DRAM是一种半导体存储器E.DRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配
考题
用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
考题
下面关于DRAM存储器描述错误的是（）A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂 ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢 ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
考题
有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
以下关于随机访问存储器（RAM）说法错误的是（）A、RAM分为静态RAM和动态RAM两类B、SRAM作为高速缓存存储器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下C、DRAM将每个位存储在一个双稳态存储器单元里D、DRAM需要不断刷新
考题
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A、①和②B、②和③C、③和④D、①和④
考题
问答题用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
考题
问答题有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
考题
问答题DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？
热门标签
最新试卷
