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问答题
有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?

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考题 有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?

考题 某半导体存储器容量8K×8位,可选用的RAM芯片容量为2K×4位,回答以下问题。(1)该存储系统要采用什么形式的扩展方式?(2)总共需要多少个RAM芯片?(3)如果有一个16K×16位的存储器,用1K×4位的DRAM芯片构成,那么总共需要多少DRAM芯片?

考题 地址从40000H到BFFFFH的按字节编址的内存容量为(31)KB,构成该内存需(32)片16K×4 bit的存储器芯片。A.128B.256C.512D.1024

考题 设存储器的地址线为20条,存储单元为字节,使用全译码方式组成存储器,该系统构成最大存储器容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是( )。A.16片B.32片C.64片D.128片

考题 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读/写周期均为0.5μs,CPU在1μs内至少要访存一次,试问采用哪种刷新方式比较合理?相邻两行之间的刷新间隔是多少?对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少?

考题 某微机系统的存储器容量为256K字节,若采用单片容量为16K*1位的SRAM芯片,则组成该存储系统共需()个该类芯片。A、16B、128C、64D、8

考题 要用64K×1的芯片组成64K×8的存储器需要几片芯片?要用16K×8的芯片组成64K×8的存储器需要几片芯片?

考题 构成8086系统最大存储器容量需用()片64K×1位的存储器芯片。A、16B、64C、32D、128

考题 用16k×8位的存储芯片,组成64k×16位的存储器,需用()扩展,要用()片。

考题 设存储器的地址线为20条,存储单元为字节,使用全译码方式组成存储器,该系统构成最大容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是()A、16B、32C、64D、128

考题 用1024×1位RAM芯片设计一个128KB的存储器系统,问需要()片芯片组成。A、1024B、2048C、128D、256

考题 若内存RAM的容量为64K,字长为16位的存储器,所采用的芯片16K×1bit的芯片,共需()个芯片。A、4×4个B、4×32个C、4×8个D、4×16个

考题 有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)采用异步刷新,如果单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?

考题 某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。A、128B、256C、1024D、16384

考题 用4K×8的存储芯片,构成64K×8的存储器,需使用多少片()A、128片B、16片C、8片D、32片

考题 某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】 该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。

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考题 已知有16K×1的DRAM芯片,其引脚功能如下:地址输入A6~A0,行地址选择RAS,列地址选择CAS,数据输入端DIN,数据输出端DOUT,控制端WE。请用给定芯片构成256KB的存储器,采用奇偶校验。试问:若芯片内部采用128×128矩阵排列,求异步刷新时该存储器的刷新间隔。

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