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判断题
探头芯片辐射的纵波,其中心轴在线辐射声压与芯片直径,声程成正比。
A

B


参考答案

参考解析
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考题 由微小硅片构成的电脑芯片通常包含数百万的电子开关,电子开关是如此小以至它无法抵抗辐射,微力学有望开发一种芯片,它可以免受辐射损害。因为它仅使用精微机械开关,但这种开关比电子开关的开关速度慢,而且一个芯片只包含12000个开关。基于上述关于微力学芯片的优势,人们预测未来会有一个较大的这种芯片的市场。上述预测要求以下每一项为真,除了:A.有些情况下使用电脑芯片,电子开关快慢不是关键。 B.在仅包含的12000个开关的电子芯片中,这些开关比微力学芯片中的开关更易受辐射损害。 C.有些场合需使用计算机芯片,而且要芯片一定能经受住强烈辐射。 D.有些使用计算机芯片的装置含有其他元件,元件暴露于辐射后仍可正常工作。 E.当有必要时,制造商能保护电子芯片免于暴露在强辐射下。

考题 在超声波探头远场区中()A、声束边缘声压比较大B、声束边缘与中心声压一样大C、声束中心声压最大D、声压与声束宽度成正比

考题 在超声探头远场区,()。A、声束边缘声压最大B、声束轴线上声压最大C、声束边缘和中心轴线声压一样D、声压与声束宽度成正比

考题 在超声探头远场区中()A、声束边缘声压较大B、声束中心声压较大C、声束边缘与中心强度一样D、声压与声束宽度成正比

考题 声波辐射的超声波,总是在声束中心轴线上的声压为最高。

考题 声波远场区的声压以中心轴线上为最高,而中心轴线上的声压()。A、随着声程的增加而下降B、随着声程的增加而增加C、随着声程的减小而下降D、以上都不对

考题 声波远场区中心轴线上的声压随着声程的增加而()。

考题 超声波远场区中心轴线上的声压随着声程的增加而下降。

考题 超声波探头辐射的声场中,声压以()最高。A、旁声束上B、半扩散角以外C、中心轴线上D、扩散角与旁声束交界部位

考题 超声波入射声压为PO,大平面产生的反射波声压PF与芯片面积AS成正比,与距离()。A、成反比B、无关C、二次方成正比D、二次方成反比

考题 超声波场区中的声压以()上为最高,而中心轴在线的声压则随着距芯片的距离增加而()。

考题 斜探头楔块底面磨损时,探头的()参数会变化。A、频率和芯片厚度B、入射角和入射点C、芯片厚度和发射脉冲D、试样中的波长芯片直径

考题 芯片直径相同的超声波探头,频率高的其声束扩散角().

考题 探头芯片辐射的纵波,其中心轴在线辐射声压与芯片直径,声程成正比。

考题 根据《环境影响评价技术导则-声环境》,以球面波形式辐射波的声源,辐射声波的声压幅值与声波传播距离()。A、成正比B、成反比C、无关系D、成平方

考题 探头的近场长度主要取决于()。A、芯片厚度B、探头外形尺寸C、芯片直径和频率D、探头的种类

考题 声程x3N时,短横孔的回波声压与()成正比,与()成反比。

考题 填空题芯片直径相同的超声波探头,频率高的其声束扩散角().

考题 单选题根据《环境影响评价技术导则-声环境》,以柱面波形式辐射波的声源,辐射声波的声压幅值与声波传播距离的平方根()A 成正比B 成反比C 无规律D 成平方

考题 单选题探头的近场长度主要取决于()。A 芯片厚度B 探头外形尺寸C 芯片直径和频率D 探头的种类

考题 单选题根据《环境影响评价技术导则-声环境》,以球面波形式辐射波的声源,辐射声波的声压幅值与声波传播距离()。A 成正比B 成反比C 无关系D 成平方

考题 填空题超声波场区中的声压以()上为最高,而中心轴在线的声压则随着距芯片的距离增加而()。

考题 单选题在超声探头远场区,()。A 声束边缘声压最大B 声束轴线上声压最大C 声束边缘和中心轴线声压一样D 声压与声束宽度成正比

考题 单选题在超声探头远场区中()A 声束边缘声压较大B 声束中心声压较大C 声束边缘与中心强度一样D 声压与声束宽度成正比

考题 单选题在超声波探头远场区中()A 声束边缘声压比较大B 声束边缘与中心声压一样大C 声束中心声压最大D 声压与声束宽度成正比

考题 单选题斜探头楔块底面磨损时,探头的()参数会变化。A 频率和芯片厚度B 入射角和入射点C 芯片厚度和发射脉冲D 试样中的波长芯片直径

考题 填空题声程x3N时,短横孔的回波声压与()成正比,与()成反比。