考题
声程大于3N的远场区,平底孔的反射声压与声程成反比。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在声程大于3N的远场区,横通孔的反射声压与孔径成反比。()
此题为判断题(对，错)。
考题
在超声波探头远场区中（）A、声束边缘声压比较大B、声束边缘与中心声压一样大C、声束中心声压最大D、声压与声束宽度成正比
考题
在超声探头远场区，（）。A、声束边缘声压最大B、声束轴线上声压最大C、声束边缘和中心轴线声压一样D、声压与声束宽度成正比
考题
远场区是指远离探头，随着距探头的距离的增加，声压单调下降的区域。
考题
在超声探头远场区中（）A、声束边缘声压较大B、声束中心声压较大C、声束边缘与中心强度一样D、声压与声束宽度成正比
考题
远场区是指远离探头，随着（）增加，声压（）的区域
考题
声波辐射的超声波，总是在声束中心轴线上的声压为最高。
考题
声波远场区的声压以中心轴线上为最高，而中心轴线上的声压（）。A、随着声程的增加而下降B、随着声程的增加而增加C、随着声程的减小而下降D、以上都不对
考题
超声波远场区的声压以（）。A、旁声束上声压最高B、半扩散角以外的区域上声压最高C、中心轴线上声压最高D、扩散角与旁声束交界部位声压最高
考题
超声波远场区中心轴线上的声压随着声程的增加而下降。
考题
声强中心轴线上的声压，则随着晶片的距离增加而增大。
考题
超声波场区中的声压以（）上为最高，而中心轴在线的声压则随着距芯片的距离增加而（）。
考题
在声程大于3N的远场区，平底孔的反射声压与声程成反比。
考题
一般探头发射的声场只有一个主声束，远场区轴线上声压（）。A、最小B、最大C、比轴线两侧声压低D、比轴线两侧声压高
考题
在声程大于3N的远场区，横通孔的反射声压与孔径成反比。
考题
超声波探伤声程大于3N时，声程增加一倍，平底孔的反射声压为原来的（）倍。
考题
判断题在声程大于3N的远场区，平底孔的反射声压与声程成反比。A
对B
错
考题
填空题超声波探伤声程大于3N时，声程增加一倍，平底孔的反射声压为原来的（）倍。
考题
填空题超声波场区中的声压以（）上为最高，而中心轴在线的声压则随着距芯片的距离增加而（）。
考题
判断题在声程大于3N的远场区，横通孔的反射声压与孔径成反比。A
对B
错
考题
单选题在超声探头远场区，（）。A
声束边缘声压最大B
声束轴线上声压最大C
声束边缘和中心轴线声压一样D
声压与声束宽度成正比
考题
填空题远场区是指远离探头，随着（）增加，声压（）的区域
考题
单选题在超声探头远场区中（）A
声束边缘声压较大B
声束中心声压较大C
声束边缘与中心强度一样D
声压与声束宽度成正比
考题
单选题在超声波探头远场区中（）A
声束边缘声压比较大B
声束边缘与中心声压一样大C
声束中心声压最大D
声压与声束宽度成正比
考题
判断题声强中心轴线上的声压，则随着晶片的距离增加而增大。A
对B
错
