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题目内容
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关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
- A、Cl-通道开放可降低IPSP
- B、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
- C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
- D、IPSP使神经元的兴奋性增加
- E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
参考答案
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考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
下述关于兴奋突触传递过程的论述，哪一项是错误的？A. 突触前膜去极化
B. Ca2+进入突触前膜
C. 突触前膜释放兴奋性递质
D. 突触后膜对Na+通透性增强
E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位
考题
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
考题
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）A、电位大小随刺激的强度改变B、有时间总和C、有空间总和D、是"全或无"的E、以电紧张方式扩布
考题
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
考题
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）。A
Cl-通道开放可降低IPSPB
多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C
IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D
IPSP使神经元的兴奋性增加E
IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
考题
单选题突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。A
电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和B
有空间总和C
是全或无的D
以电紧张方式扩布
考题
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A
Cl通道开放可降低IPSPB
多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C
IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D
IPSP使神经元的兴奋性增加E
IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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