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名词解释题
抑制性突触后电位（IPSP）
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考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
考题
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
考题
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
考题
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）。A
Cl-通道开放可降低IPSPB
多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C
IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D
IPSP使神经元的兴奋性增加E
IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
考题
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A
Cl通道开放可降低IPSPB
多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C
IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D
IPSP使神经元的兴奋性增加E
IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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