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产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
- A、突触前末梢递质释放减少
- B、突触后膜Ca2+电导降低
- C、突触后膜Na+电导降低
- D、中间神经元受抑制
- E、突触后膜发生超极化
参考答案
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考题
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
知识点：突触前抑制突触前抑制的特点是
A.突触前膜超极化
B.突触前轴突末梢释放抑制性递质
C.突触后膜的兴备性降低
D.突触后膜的兴奋性、突触后电位降低
E.通过轴突-树突突触的活动实现
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
考题
单选题关于兴奋性突触后电位的说法，正确的是（ ）。A
即突触后神经元处于兴奋状态B
由突触后膜K＋电导增加而产生C
可随突触前递质释放增多而加大D
由突触后膜Ca2＋电导增加而产生E
由突触后膜K＋外流大于Na＋内流而产生
考题
单选题抑制性突触后电位（）A
由突触前末梢递质释放减少而引起B
使突触后膜电位远离阈电位水平C
由突触后膜Na+电导增加而产生D
由突触后膜Ca2+电导增加而产生E
是一种去极化抑制的突触后电位
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