考题
晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（）A、频率越低B、频率越高C、无明显影响D、频率先高后低
考题
晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则频率（）
考题
晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则（）A、频率越低B、频率越高C、无明显影响D、频率变化不定
考题
晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（）A、频率越低B、频率越高C、无明显影响
考题
探头频率与晶片厚度有关，晶片越薄（）。A、 频率越低B、 频率越高C、 频率无显著变化D、 以上都不对
考题
斜探头楔块底面磨损时，探头的（）参数会变化。A、频率和芯片厚度B、入射角和入射点C、芯片厚度和发射脉冲D、试样中的波长芯片直径
考题
在超声波探伤中，探头芯片厚度与探头频率有关，芯片越厚，频率（）。A、越高B、越低C、变化不大
考题
芯片直径相同的超声波探头，频率高的其声束扩散角（）．
考题
同直径探头压电芯片的厚度越厚，其近场区（）。
考题
同直径探头中，压电芯片的厚度越薄扩散角越（），频率越（）扩散角越大。
考题
探头的工作频率，主要取决于压电芯片的（）和（）。
考题
探头的近场长度主要取决于（）。A、芯片厚度B、探头外形尺寸C、芯片直径和频率D、探头的种类
考题
换能器频率与芯片厚度有关，芯片愈薄，频率（）。A、愈低B、愈高C、不变
考题
填空题芯片直径相同的超声波探头，频率高的其声束扩散角（）．
考题
填空题同直径探头中，压电芯片的厚度越薄扩散角越（），频率越（）扩散角越大。
考题
填空题同直径探头压电芯片的厚度越厚，其近场区（）。
考题
单选题探头的近场长度主要取决于（）。A
芯片厚度B
探头外形尺寸C
芯片直径和频率D
探头的种类
考题
单选题换能器频率与芯片厚度有关，芯片愈薄，频率（）。A
愈低B
愈高C
不变
考题
单选题在超声波探伤中，探头芯片厚度与探头频率有关，芯片越厚，频率（）。A
越高B
越低C
变化不大
考题
单选题斜探头楔块底面磨损时，探头的（）参数会变化。A
频率和芯片厚度B
入射角和入射点C
芯片厚度和发射脉冲D
试样中的波长芯片直径
考题
单选题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则（）A
频率越低B
频率越高C
无明显影响D
频率变化不定
考题
填空题探头的工作频率，主要取决于压电芯片的（）和（）。
考题
填空题芯片厚度和探头频率是有关的，当芯片越厚时，其频率（）。
考题
填空题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚则频率（）
考题
单选题探头频率与晶片厚度有关，晶片越薄（）。A
频率越低B
频率越高C
频率无显著变化D
以上都不对
考题
单选题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（）A
频率越低B
频率越高C
无明显影响
考题
单选题晶片厚度和探头频率是相关的，晶片越厚，则（）A
频率越低B
频率越高C
无明显影响D
频率先高后低