考题
晶片与探测面平行，使超声波垂直于探测面而进入被检材料的检验方法称为()A.垂直法B.斜射法C.表面波法D.K型扫查
考题
探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法，称为斜射法。（）此题为判断题(对，错)。
考题
非磁性材料的表面裂纹多采用()方法检验。
A、磁纷探伤B、着色探伤C、射线探伤D、超声波探伤
考题
检查非铁磁性材料焊缝表面或近表面的缺陷，可用（）法。A、磁粉探伤B、渗透探伤C、超声波探伤
考题
超声波探伤时，为消除晶片表面和被探工件表面之间空气的间隙而涂敷的物质被称为（）A、耦合剂B、胶黏剂C、固化剂
考题
对一塑料材料作渗透探伤时，首先应考虑（）A、将被检物作去脂处理B、检查渗透探伤材料与该塑料材料的相容性C、施加可水洗型荧光渗透剂D、去除被检物表面的氢化物质
考题
晶片与探测面平行，使超声波垂直于探测面而进入被检材料的检验方法称为（）A、垂直法B、斜射法C、表面波法
考题
磁粉探伤选择磁粉种类的原则是：（）。A、与被检表面形成高对比度B、与被检表面形成低对比度C、能粘附在被检工件表面上D、磁导率越低越好
考题
芯片表面与被检材料表面不平行的超声探伤技术叫做：（）。A、斜角探伤B、液浸探伤；C、接触探伤D、穿透法探伤
考题
在进行超声波探伤时，探测面上的探头与被检工件的相对移动称为扫查。
考题
探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法，称为斜射法。
考题
探头与被检工件表面直接接触的方法，可用来作（）。A、垂直法探伤B、表面波探伤C、斜射法探伤D、上述三者都可
考题
检验参数控制相对困难，可检验导电材料表面或焊缝与堆焊层表面或近表面缺陷的无损检测方法是（ ）A、超声波探伤B、涡流探伤C、磁性探伤D、渗透探伤
考题
焊缝超声波探伤，与焊缝平行的缺陷，最合适的探伤方法是（）。A、表面波接触法B、纵波接触法C、横波法D、穿透法
考题
超声波探伤，探头与被探管子表面作相对运动的轨迹是螺旋线。
考题
超声波检测中，荧光屏中代表被检材料的离探头较远的接口信号称为（）。A、始波B、基波C、底波D、表面波
考题
芯片与探测面平行，使超声波垂直与探测进入材料的检验方法称为（）。A、直射法B、斜射法C、表面波法D、上述三种都不对
考题
在探头表面和被检材料表面之间，用来使超声波振动从探头传播到被检材料中去的材料叫做（）A、润湿剂B、耦合剂C、声发射器D、润滑剂
考题
用任何方法作超声波探伤时，为有效地检出缺陷，应使超声波束与缺陷最大表面平行。
考题
单选题芯片表面与被检材料表面不平行的超声波探伤称为（）。A
液浸探伤法B
斜角探伤法C
接触探伤法D
穿透探伤法
考题
单选题在探头表面和被检材料表面之间，用来使超声波振动从探头传播到被检材料中去的材料叫做（）A
润湿剂B
耦合剂C
声发射器D
润滑剂
考题
判断题探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法，称为斜射法。A
对B
错
考题
单选题检验参数控制相对困难，可检验导电材料表面或焊缝与堆焊层表面或近表面缺陷的无损检测方法是（ ）A
超声波探伤B
涡流探伤C
磁性探伤D
渗透探伤
考题
单选题芯片与探测面平行，使超声波垂直与探测进入材料的检验方法称为（）。A
直射法B
斜射法C
表面波法D
上述三种都不对
考题
单选题探头与被检工件表面直接接触的方法，可用来作（）。A
垂直法探伤B
表面波探伤C
斜射法探伤D
上述三者都可
考题
单选题晶片与探测面平行，使超声波垂直于探测面而进入被检材料的检验方法称为（）A
垂直法B
斜射法C
表面波法
考题
单选题芯片表面与被检材料表面不平行的超声探伤技术叫做：（）。A
斜角探伤B
液浸探伤；C
接触探伤D
穿透法探伤
