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单选题
关于直接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（ ）。
A
玻璃基板
B
集电矩阵
C
非晶硒层
D
半导体层
E
顶层电极
参考答案
参考解析
解析：
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考题
关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
考题
关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同
考题
关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）A、使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B、典型材料为非晶硒（a-SE.C、每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元D、非晶硒层直接将X线转换成电信号E、与非晶硅探测器的工作原理相同
考题
关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是（）A、属于间接转换型平板探测器B、常见的多为碘化铯+非晶硅型C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
考题
关于直接转换型平板探测器工作原理的描述，错误的是（）A、入射X线光子在硒层中产生电子-空穴对B、电子和空穴向相顶层电极移动C、信号电流被相应检测单元的接收电极所收集D、储能电容中电荷量与入射X线强度成正比E、采集单元储能电容中积聚的电荷被依次读出
考题
单选题非晶硅平板探测器基本结构为（ ）。A
碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C
硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D
非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E
碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
考题
单选题关于探测器说法，不正确的是（ ）。A
非晶硒平板探测器的非晶硒层直接将X线转换成电信号B
太厚的非晶硒会导致其他伪影的产生C
伪影的程度取决于X线被吸收前在非晶硒内前行的距离D
探测器的设计在X线捕获和电子信号之间不产生折中E
图像持留时间限制了图像的采集速度，这对全自动曝光技术带来了负面效应
考题
单选题关于直接转换型平板探测器工作原理的描述，错误的是（ ）。A
入射X线光子在硒层中产生电子-空穴对B
电子和空穴向相顶层电极移动C
信号电流被相应检测单元的接收电极所收集D
储能电容中电荷量与入射X线强度成正比E
采集单元储能电容中积聚的电荷被依次读出
考题
单选题关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是（）A
属于间接转换型平板探测器B
常见的多为碘化铯+非晶硅型C
碘化铯层的晶体直接生长在基板上D
碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E
X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
考题
单选题关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是（）A
使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B
典型材料为非晶硒（a-SE.C
每个薄膜晶体管（TFT）形成一个采集图像的最小单元D
非晶硒层直接将X线转换成电信号E
与非晶硅探测器的工作原理相同
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