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关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是（）

  • A、属于间接转换型平板探测器
  • B、常见的多为碘化铯+非晶硅型
  • C、碘化铯层的晶体直接生长在基板上
  • D、碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影
  • E、X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程

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考题 关于非晶硅平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.属于间接转换型平板探测器B.常见的多为碘化铯+非晶硅型C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影E.X线探测、图像采集和读出都是相互独立的过程
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考题 关于非晶硒平板探测器的叙述，下列错误的是()。A.使用了光电导材料，能将所吸收的光子转换成电荷B.典型材料为非晶硒(a-Se)C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元D.非晶硒层直接将X线转换成电信号E.与非晶硅探测器的工作原理相同
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考题 属于DR成像直接转换方式的是A．非晶硒平板探测器B．碘化铯+非晶硅平板探测器C．利用影像板进行X线摄影D．固定IP+CCD摄像机阵列E．硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 属于DR成像直接转换方式的是（）A、非晶硒平扳探测器B、碘化铯+非晶硅平扳探测器C、利用影像板进行X线摄影D、闪烁体+CCD摄像机阵列E、硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 属于DR成像间接转换方式的部件是（）A、增感屏B、非晶硒平板探测器C、碘化铯+非晶硅探测器D、半导体狭缝线阵探测器E、多丝正比电离室
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考题 单选题关于间接转换型平板探测器结构的描述，错误的是（　　）。A 表面电极B 基板层C 光电二极管D 非晶硅TFT阵列E 碘化铯晶体层
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考题 单选题下列探测器产生的图像质量由好到坏的排序是（　　）。A 非晶硅-非晶硒-CCDB CCD-非晶硅-非晶硒C 非晶硒-非晶硅-CCDD 非晶硅-CCD-非晶硒E CCD-非晶硒-非晶硅
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考题 单选题目前最常用的DR系统为（　　）。A CsI＋CCD阵列B 非晶硅平板探测器C 非晶硒平板探测器D 多丝正比电离室E 计算机X线摄影
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考题 单选题属于DR成像直接转换方式的是（）A 非晶硒平扳探测器B 碘化铯+非晶硅平扳探测器C 利用影像板进行X线摄影D 闪烁体+CCD摄像机阵列E 硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器
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考题 单选题下列属于DR成像间接转换方式的部件是（　　）。A 闪烁体B 非晶硒平板探测器C CCD摄像机阵列D 碘化铯＋非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵列探测器
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考题 单选题属于DR成像间接转换方式的部件是（）A 增感屏B 非晶硒平板探测器C 多丝正比电离室D 碘化色+非晶硅探测器E 半导体狭缝线阵探测器
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考题 单选题DiscoveryXR656和飞天V无线平板探测器材质是（）A 非晶硒B 碘化铯非晶硅C 氧化钆非晶硅D CCD
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