考题
超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片
考题
用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用（）探伤A、纵波接触法B、水浸探伤法C、横波接触法D、表面波接触法
考题
超声波检验中，选用晶片尺寸大的探头的优点是（）。A、曲面探伤时减少耦合损失B、减少材质衰减损失C、辐射声能大且能量集中D、以上都是
考题
单晶片探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为盲区。
考题
采用接触法超探，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径的晶片。
考题
接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
考题
用单晶片探头探伤时，探头只能发射或接收超声波。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片
考题
接触法超声波探伤，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径晶片的探头。
考题
超声波探伤时施加耦合剂的主要目的是：（）A、润滑接触面尽量减少探头磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面直接接触时就不会振动D、使探头可靠地接地
考题
探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A、斜射法B、水浸法C、接触法D、穿透法
考题
在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或直径（）的探头。
考题
探头晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中。
考题
探头晶片尺寸（），半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中，对探伤有利。
考题
采用接触法超探，探测距离大时，为获得较集中的能量，应选用（）直径的晶片。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
考题
超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是（）。A、润滑接触面，尽量减小探头的磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面接触时就不会产生振动D、使探头可靠的接触
考题
填空题采用接触法超探，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径的晶片。
考题
判断题超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。A
对B
错
考题
填空题采用接触法超探，探测距离大时，为获得较集中的能量，应选用（）直径的晶片。
考题
单选题探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A
斜射法B
水浸法C
接触法D
穿透法
考题
填空题探头晶片尺寸（），半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中，对探伤有利。
考题
单选题超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A
低频率B
较小晶片C
低频率和较小晶片D
较大晶片
考题
填空题在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
考题
填空题接触法超声波探伤，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径晶片的探头。
考题
单选题超声波检验中，选用晶片尺寸大的探头的优点是（）A
曲面探伤时减少耦合损失B
减少材质衰减损失C
辐射声能大且能量集中D
以上都对
