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多选题
抑制性突触后电位()
A

是“全或无”式的

B

有总和现象

C

幅度较兴奋性突触后电位大

D

是突触后膜对Cl-的通透性减少的结果

E

是突触后膜对Cl-的通透性增加的结果


参考答案

参考解析
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考题 请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

考题 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

考题 产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

考题 试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。

考题 试述兴奋性突触后后电位和抑制性突触后电位的特征。

考题 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?

考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。

考题 抑制性突触后电位

考题 抑制性突触后电位(IPSP)

考题 判断题抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。A 对B 错

考题 单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A 兴奋性突触后电位和局部电位B 抑制性突触后电位和局部电位C 兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D 兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

考题 问答题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的?

考题 单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。A 棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B 棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C 棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D 棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E 棘波、慢波是由突触前电位构成

考题 名词解释题抑制性突触后电位(IPSP)

考题 名词解释题抑制性突触后电位