考题
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()
A、掺杂浓度B、工艺C、温度D、晶体缺陷
考题
根据《国家电网公司变电检测通用管理规定》第1分册红外热像检测细则附录D的规定，电气设备与金属部件的连接热点温度＞80℃或δ≥80%，判定缺陷类型为()。一般缺陷$; $严重缺陷$; $危急缺陷$; $正常
考题
某变电站进行红外热像检测，测量某电容器熔丝发热温度为100摄氏度，不考虑相对温差的情况下，其缺陷应报（）一般缺陷$;$严重缺陷$;$重大缺陷$;$危急缺陷
考题
《红外热像检测细则》中规定，以下电流致热型缺陷，严重缺陷标准为热点温度大于55℃或δ≥80 %的有（ ）。(A)断路器 (B)电流互感器 (C)套管 (D)电容器
考题
《红外热像检测细则》中规定，以下电流致热型缺陷，严重缺陷标准为热点温度大于55℃或δ大于或等于80%的有（）。(A)断路器 (B)电流互感器 (C)套管 (D)电容器
考题
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
考题
线热点温度大于80℃属（）A、重大缺陷B、一般缺陷C、紧急缺陷D、热隐患
考题
如下说法哪个是正确的（）A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度C、当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低
考题
什么叫晶体的热缺陷？有几种类型？写出其浓度表达式，晶体中离子电导分为哪几类？
考题
简述温度、固溶体类型、晶体结构、晶体学各向异性、浓度、晶体缺陷、第三元对扩散系数的影响及其原因。
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
考题
外围护结构热工缺陷检测时，若热像图存在异常部位，应当将实测热像图与受检部分的预期温度分布进行比较。
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体管缺陷
考题
下列不属于建筑物围护结构热工缺陷检测范围的是（）。A、外表面热工缺陷B、内表面热桥热工缺陷C、内表面热工缺陷D、屋面热工缺陷
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。A、晶体缺陷B、温度C、杂质浓度D、掺杂工艺
考题
填空题MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为（）。（肖特基缺陷生成能为6ev，1ev=1.6×10-15J，k=1.38×10-23J/K）
考题
填空题晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）
考题
单选题下列不属于建筑物围护结构热工缺陷检测范围的是（）。A
外表面热工缺陷B
内表面热桥热工缺陷C
内表面热工缺陷D
屋面热工缺陷
考题
单选题当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶体内原子热震动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为（）A
杂质缺陷B
热缺陷C
点缺陷D
面缺陷
考题
单选题按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（）。A
热缺陷B
杂质缺陷C
非化学计量缺陷D
A+B+C
考题
单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。A
增加B
不变C
降低
考题
问答题晶体的缺陷中，两类典型的缺陷是什么？各自有什么特点？
考题
单选题晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（）。A
线性增加B
呈指数规律增加C
无规律D
线性减少
