考题
晶体管能够放大的内部条件是()。
A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
考题
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
考题
最初被发现的导电聚合物是聚苯胺掺杂Br2，I2。（）
考题
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
考题
半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若（）导电能力会减弱。A、掺杂非金属元素B、增大光照C、降低环境温度D、掺打金属元素
考题
简述硼水贮存系统（JNK）贮存的低浓度硼水和高浓度硼水的主要用户。
考题
以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
杂质半导体的导电性能是通过掺杂而大大提高的。
考题
根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A、 温度越高，掺杂越快B、 温度越低，掺杂越快C、 温度恒定，掺杂最快D、 掺杂快慢与温度无关
考题
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
考题
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
考题
N型半导体主要是依靠（）导电的半导体。A、电子B、空穴C、三价硼元素D、五价锑元素
考题
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
考题
问答题简述离子交换分离硼镁矿试液中硼的原理。
考题
判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A
对B
错
考题
问答题简述硼水贮存系统（JNK）贮存的低浓度硼水和高浓度硼水的主要用户。
考题
问答题从能带理论和导电率的角度简述绝缘体、半导体、导体的导电或绝缘机制。
考题
问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
考题
单选题根据扩散原理，将三价（硼）或五价（磷）杂质原子掺入到硅半导体材料中（）A
温度越高，掺杂越快B
温度越低，掺杂越快C
温度恒定，掺杂最快D
掺杂快慢与温度无关
考题
单选题对于半导体材料，若（），导电能力减弱。A
环境温度降低B
掺杂金属元素C
增大环境光照强度D
掺杂非金属元素
考题
问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
考题
填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
考题
单选题半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若（）导电能力会减弱。A
掺杂非金属元素B
增大光照C
降低环境温度D
掺打金属元素
