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下列全控型开关器件中属于电压型驱动的有()。

  • A、GTR
  • B、GTO
  • C、MOSFET
  • D、达林顿管

参考答案

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考题 使用全控型开关器件的单相电压型半桥逆变电路,换流方式为( )。A、器件换流B、电网换流C、负载换流D、强迫换流

考题 下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET

考题 写出四个电力电子器件名称(),其中属于全控型器件又是电压驱动的是()。

考题 下列全控型开关器件属于电流型驱动的有()。A、IGBTB、GTOC、MOSFETD、SITH

考题 下列全控型电力电子器件中属于双极型器件有()。A、GTRB、GTOC、SITD、SITH

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管E、GOT(GTO)

考题 按器件的可控性分类,普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电压型器件

考题 普通晶闸管属于()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、电流型器件

考题 下列全控型器件中开关速度最快的是()。A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT

考题 下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。A、GTRB、IGBTC、MOSFETD、达林顿管

考题 斩波电路中的核心斩波开关只能是全控型器件。

考题 下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极

考题 下列属于单极型电压驱动型器件的是()。A、GTRB、GTOC、MOSFETD、IGBT

考题 斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A、电力二极管B、机械式开关C、半控型器件D、全控型器件

考题 在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

考题 在全控型器件中,IGBT的开关速度低,开关损耗大。

考题 在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。

考题 下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT

考题 多选题普通晶闸管属于()。A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电流型器件

考题 单选题下列全控型器件中开关速度最快的是()。A GTOB GTRC MOSFETD IGBT

考题 填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

考题 多选题功率半导体器件按照驱动信号类型可分类为()。A不可控器件B电流驱动型C电压驱动型D半控型器件

考题 填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

考题 单选题斩控式交流调压电路一般采用的开关器件是()A 电力二极管B 机械式开关C 半控型器件D 全控型器件

考题 单选题下列关于PowerMOSFET的描述,哪一项是错误的?()A 是电压驱动型器件B 也称为绝缘栅极双极型晶体管C 属于全控型器件D 三个极为漏极、栅极和源极