考题
晶体管的电流放大系数太小时,电流放大作用将();而电流放大系数太大时,又会使晶体管的性能()。
考题
一般说来,晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,则β增大。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体管管帽上的色点表示该晶体管的（）A、电流放大系数B、反向饱和电流C、穿透电流
考题
值称为共发射极电流放大系数，是晶体管的一个重要参数，也是检验晶体管经过硼、砷掺杂后的两个pn结质量优劣的重要标志。（）
考题
在共发射极电路中，当Ib=1mA时，Ic=50mA，当Ib=1.5mA时，Ic=100mA，此三极管的交流放大系数是（）。A、50B、67C、100D、33
考题
不带反馈的共发射极晶体管放大器，在输出电压不失真时，其输入交流信号的幅度最大约为（）。A、几uVB、几mVC、0.6~0.7VD、1V左右
考题
用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极电压。
考题
晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）。A、iCB、uCEC、iBD、iE
考题
某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数β约为（）。
考题
晶体管的电流放大系数β是指（）A、工作在饱和区时的电流放大系数B、工作在放大区时的电流放大系数C、工作在截止区时的电流放大系数
考题
交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈B、采用正反馈和负反馈C、提高晶体管的饱和深度和放大系数D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈
考题
三极管电流放大倍数β，通常指（）。A、共发射极动态电流放大系数B、共发射极静态电流放大系数C、共集电极动态电流放大系数D、共集电极静态电流放大系数
考题
用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，X轴作用开关应置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流或基极源电压。
考题
在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
考题
在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
考题
判断题晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。A
对B
错
考题
判断题晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。A
对B
错
考题
填空题晶体管的共发射极直流短路电流放大系数是指（）结正偏、（）结零偏时的（）电流与（）电流之比。
考题
填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
考题
单选题晶体管中的“β”参数是（）。A
电压放大系数B
集电极最大功耗C
电流放大系数D
功率放大系数
