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化学气相沉积技术主要用于()类刀具的表面涂层。


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考题 影响化学气相沉积制备材料质量有哪几个主要因素?

考题 高速钢表面涂层工艺与硬质合金表面涂层技术类同,有()两种。A、高温烧结和高温高压烧结B、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)C、热压法(HP)和热等静压法(HIP)D、电镀法和电铸法

考题 目前常用刀具涂层方法有()。A、化学气相沉积法B、物理气相沉积法C、盐浴浸镀法D、等离子喷涂

考题 关于高速钢,错误的描述是()。A、常用来制作切削刃形状复杂的刀具B、其最终热处理方法是高温淬火+多次高温回火C、其强度和韧性优于硬质合金D、高速钢刀具的表面涂层采用物理气相沉积(PVD.技术

考题 刀具表面涂层技术是一种优质的(),它是在普通高速钢和硬质合金刀片表面,采用化学气相沉积或者物理气相沉积的工艺方法,覆盖一层高硬度难融金属化合物。

考题 关于高速钢,错误的描述是()。A、其强度和韧性优于硬质合金B、常用来制作切削刃形状复杂的刀具C、其最终热处理方法是高温淬火+多次高温回火D、高速钢刀具的表面涂层采用物理气相沉积(PVD)技术

考题 利用气态化合物(或化合物的混合物)在基体受热表面发生化学反应,并在该基体表面生成固态沉积物的技术称()。A、物理气相沉积(PVD)B、物理气相沉积(CVD)C、化学气相沉积(VCD)D、化学气相沉积(CVD)

考题 简述化学气相沉积生产装置

考题 化学气相沉积

考题 在光纤的制备方法中,VAD法是指()。A、外部化学气相沉积法B、轴向化学气相沉积法C、改进的化学气相沉积法D、等离子化学气相沉积法

考题 化学气相沉积和物理气相沉积的基本原理是什么?

考题 物理气相沉积技术可作为最终处理工艺用于()刀具的涂层。

考题 化学气相沉积与物理气相沉积最根本的区别是在沉积前是否发生了()。

考题 属于金属表面化学热处理强化法的技术方法是()。A、碳氮共渗B、气相沉积层C、镀覆层D、喷丸

考题 判断题化学气相浸渍法(CVI)是一种用于多孔预制体的化学气相沉积。A 对B 错

考题 单选题利用气态化合物(或化合物的混合物)在基体受热表面发生化学反应,并在该基体表面生成固态沉积物的技术称()。A 物理气相沉积(PVD)B 物理气相沉积(CVD)C 化学气相沉积(VCD)D 化学气相沉积(CVD)

考题 单选题集成电路生产中,金属薄膜的沉积通常采用()A 溅射物理气相沉积B 蒸发物理气相沉积C 等离子增强化学气相沉积D 低压化学气相沉积

考题 问答题简述影响化学气相沉积制备材料质量的几个主要因素。

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考题 填空题气相沉积法分为()和化学沉积法;化学沉积法按反应的能源可分为热能化学气相沉积、()。

考题 单选题关于CVD涂层,()描述是不正确的。A CVD表示化学气相沉积B CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的C CVD涂层具有高耐磨性D CVD对高速钢有极强的粘附性

考题 判断题CVD为化学气相沉积技术的简称。A 对B 错

考题 单选题“PECVD”中文表述是()。A 脉冲激光沉积B 金属有机化学气相沉积C 溅射D 等离子体增强化学气相沉积

考题 单选题关于CVD涂层,()描述是不正确的。A CVD表示化学气相沉积B CVD是在400~600℃的较低温度下形成C CVD涂层具有高耐磨性D CVD对硬质合金有极强的粘附性