考题
超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片
考题
测定氟用的离子选择性电极是由什么晶体片制成的A、氟化钠单晶片B、氟化镧单晶片C、氟化硼单晶片D、氟化锗单晶片E、氟化钾晶体片
考题
有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于()A.探伤类型
B.晶片背衬的致密性
C.频率和晶片尺寸
D.脉冲宽度
考题
压电晶片是具有压电效应的晶体材料，用于超声波探伤的压电晶体材料，如石英、硫酸锂、碘酸锂等是（）体，而钛酸钡、锆钛酸铅是（）体，也称（）
考题
超声波是由超声波探伤仪产生（）并施加于探头，利用其晶片的压电效应而获得。A、反射B、衍射C、电振荡D、衰减
考题
有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于（）A、探伤类型B、晶片背衬的致密性C、频率和晶片尺寸D、脉冲宽度
考题
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A、 对探伤有利B、 对探伤不利C、 半扩散角增大D、 超声波能量发散
考题
超声波探伤中，晶片表面和零件表面之间使用耦合剂的原因是（）会使超声波完全反射。
考题
超声波探伤中，晶片表面和零件表面之间使用耦合剂的原因是空气间隙会使超声波完全反射。
考题
超声波探伤中，晶片表面和零件表面之间使用耦合剂的原因是空气间隙会使（）。
考题
超声波探伤中，当晶片的厚度为（）时，探头具有较高的转换率。A、1/4波长B、1/2波长C、与波长相当D、1/4波长的整数倍
考题
用单晶片探头探伤时，探头只能发射或接收超声波。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片
考题
只用一个晶片兼作发射和接收超声波的探伤方法称单探头法探伤。
考题
在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
考题
单选题由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A
对探伤有利B
对探伤不利C
半扩散角增大D
超声波能量发散
考题
填空题超声波探伤中，晶片是由具有（）的（）晶体制作的
考题
问答题超声波探伤中，晶片表面和被探工件表面之间使用耦合剂的原因是什么？
考题
填空题压电晶片是具有压电效应的晶体材料，用于超声波探伤的压电晶体材料，如石英、硫酸锂、碘酸锂等是（）体，而钛酸钡、锆钛酸铅是（）体，也称（）
考题
判断题只用一个晶片兼作发射和接收超声波的探伤方法称单探头法探伤。A
对B
错
考题
单选题有晶片所发射的超声波声束的扩散主要取决于（）A
探伤类型B
晶片背衬的致密性C
频率和晶片尺寸D
脉冲宽度
考题
单选题超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A
低频率B
较小晶片C
低频率和较小晶片D
较大晶片
考题
填空题在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
考题
问答题对超声波探伤所用探头的晶片材料有哪些要求？
