考题
半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是______。A.具有放大特性B.具有单向导电性C.具有改变电压特性D.具有增强内电场特性
考题
半导体管特性图示仪除测量半导体器件外,还可以对电容器进行()的测量。
A.绝缘性能B.介质参数C.耐压或漏电流D.大电流
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时,在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的()。
A.性能参数B.转移特性C.内部性能D.特性曲线
考题
半导体器件的参数有多种测试方法,但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法,为此就应选用半导体管特性图示仪。()
此题为判断题(对，错)。
考题
132）半导体具有热敏特性、电敏特性和掺杂特性，利用这些特性可以制成各种不同用途的半导体器件。（ ）
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量时的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体的（）A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
一般的半导体二极管是（）。A、具有正电阻特性的器件B、具有负电阻特性的器件
考题
晶体管特性图示仪是一种能在（）的屏幕上显示出各种（）的测量仪器。
考题
整流电路主要是利用（）实现的。A、半导体器件的单向导电性B、半导体器件的电容效应C、半导体器件的击穿特性D、半导体器件的温度敏感性
考题
一般的半导体二极管是（）。A、具有正电阻特性的器件B、具有负电阻特性的器件C、正负电阻特性都有的器件
考题
半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
整流所用的半导体器件特性是（）。A、放大特性B、反向击穿C、单向导电D、饱和特性
考题
半导体器件的参数有多种测试方法，但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法，为此就应选用半导体管特性图示仪。
考题
晶体管特性图示仪可观测半导体管子特性曲线，还可测试管子的（）特性参数。A、极限、击穿B、正向C、反向D、击穿
考题
利用半导体器件的（）特性可实现整流。A、伏安B、稳压C、双向导电性D、单向导电
考题
利用半导体器件的（）特性可实现整流。A、伏安B、稳压C、单向导电D、反向
考题
半导体管特性图示仪除测量半导体器件外，还可以对电容器进行（）的测量。A、绝缘性能B、介质参数C、耐压或漏电流D、大电流
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
考题
构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有（）和（）特性。
考题
半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。A、性能参数B、转移特性C、内部性能D、特性曲线
考题
半导体管特性图示仪中，基极阶梯信号发生器用于形成多条曲线簇。
考题
判断题半导体管特性图示仪中，基极阶梯信号发生器用于形成多条曲线簇。A
对B
错
考题
单选题一般的半导体二极管是（）。A
具有正电阻特性的器件B
具有负电阻特性的器件
考题
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是（）。A
具有放大特性B
具有单向导电性C
具有改变电压特性D
具有增强内电场特性
考题
单选题半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（）。A
具有单向导电性B
具有放大性C
具有改变电压特性D
以上都不对