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填空题
在使用偏置面(Offset Face)和偏置曲面(Offset Surface)功能无法完成对面的偏置操作时,可以使用()命令大致偏置一个距离,从而创建一个没有自相交、锐边或拐角的偏置片体。

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考题 什么是正向偏置和反向偏置?二极管在正向偏置和反向偏置时分别为什么状态?

考题 晶体三极管工作在饱和区,发射结、集电结的偏置应()。 A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结正向偏置,集电结正向偏置C、发射结反向偏置,集电结反向偏置D、发射结反向偏置,集电结正向偏置

考题 晶体三极管工作在截止状态时的特点是()。 A.发射结反向偏置,集电结正向偏置B.发射结正向偏置,集电结反向偏置C.结和集电结都处于反向偏置D.结和集电结都处于正向偏置发射

考题 从图示来看,下列曲面类型不可能为()。 A、偏置曲面B、直纹面C、扫掠面D、截面

考题 摩托罗拉BSS/RXCDR参数中,“dl_audio_lev_offset”的参数概念为上行语音强度偏置 A.错误B.正确

考题 通常情况下,在小区重选准则C2的算法中,有一个参数TEMPORARY OFFSET。其对C2值的影响是()。A、给C2值加一个正的临时偏置B、给C2值加一个负的临时偏置C、不影响C2的值D、给C2值加一个固定偏置

考题 三极管工作有三个区域,在放大区时,偏置为()和();饱和区,偏置为()和();截止区,偏置为()和()。

考题 UG建模时用到的曲面编辑操作有:()、偏置面、替换面、修剪和延伸等。

考题 OFFSET键的功能是()量设定与显示。A、补偿B、加工余C、偏置D、总余

考题 OFFSET键的用途是刀具偏置量数值和宏程序变量的()与显示。A、计算B、设定C、编译D、选择

考题 使用G92指令可使偏置尺寸根据需要设置,不受偏置寄存器(PSO)的限制。另一优点是修改偏置尺寸时,只需修改本工件的G92指令后面的尺寸即可,对其他工件无影响,这样就方便多了。

考题 晶体管工作在饱和区的条件是()。A、发射结正向偏置,集电结反向偏置B、发射结反向偏置,集电结正向偏置C、发射结正向偏置,集电结正向偏置D、发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 摩托罗拉General参数中,“temporary_offset”的参数名称是临时偏置

考题 摩托罗拉BSS/RXCDR参数中,“dl_audio_lev_offset”的参数概念为上行语音强度偏置

考题 BJT用来放大时,应使发射结处于()偏置,集电结型处于()偏置;而工作在饱和区时,发射结处于()偏置,集电结型处于()偏置。

考题 三极管工作在放大状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在饱和状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。若工作在截止状态时,发射结应()偏置,集电结应()偏置。

考题 单选题下列关于“偏置曲面”的说法,哪个是正确的()。A 偏置值只能为正B 方向可以取反向C 偏置对象只能是实体表面D 偏置对象只能是片体

考题 判断题可以使用任意多个曲面创建偏置曲面(Offset Surface)特征,而且可以指定任意多个偏置距离。A 对B 错

考题 判断题摩托罗拉General参数中,“temporary_offset”的参数名称是临时偏置A 对B 错

考题 问答题什么是正向偏置和反向偏置?二极管在正向偏置和反向偏置时分别为什么状态?

考题 判断题只能对一个面进行可变偏置(Variable Offset)操作。A 对B 错

考题 单选题偏置面(Offset Face)对话框中的偏置值的正方向为()A 面法向向外B 面法向向内C 面切向D 不确定

考题 单选题无论是PNP型还是NPN型三极管,工作在放大状态时其条件是()A 发射结正向偏置,集电结反向偏置B 发射结反向偏置,集电结正向偏置C 发射结正向偏置,集电结正向偏置D 发射结反向偏置,集电结反向偏置

考题 单选题某个面上有一条样条线,现需要将该样条线在面轮廓内按距离偏置,应该使用如下哪个命令()A 面内偏置B 面偏置C 偏置-曲线沿面D 编辑-变形-面样条线

考题 判断题摩托罗拉BSS/RXCDR参数中,“dl_audio_lev_offset”的参数概念为上行语音强度偏置A 对B 错

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考题 填空题偏置曲线(Offset Curve)时,当要取消在曲线偏置线串中的自交区时,利用()选项。