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CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的

A．增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管

B．增强型NMOS管和耗尽型PMOS管

C．增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管

D．增强型PMOS管和耗尽型NMOS管

参考答案和解析
C
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考题 CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 施密特电路是由两级()组成的。 A、直流放大器B、反相器交叉耦合C、反相器适当耦合D、与非门电路
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考题 单稳态电路是由两极反相器作适当耦合而构成,分别是()耦合。 A、电阻电容B、电阻电感C、电容电感D、电阻电阻
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 由CMOS集成施密特触发器组成的电路及该施密特触发器的电压传输特性曲线如图所示，该电路组成了一个（）。 A.存储器 B.单稳态触发器 C.反相器 D.多谐振荡器
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考题 双稳态是由两个反相器，正反馈连接的电路。
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考题 反相器的输出，总是输入的（）。因此反相器就是一个（）电路，也称（）电路。
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。
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考题 在维修扩展卡电路上的CMOS系列的元器件时，要做好防（）工作，避免元器件击穿损坏。A、高温B、高压C、静电D、短路
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考题 施密特电路是由两级（）组成的。A、直流放大器B、反相器交叉藕合C、反相器适当藕合D、与非门电路
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考题 单稳态电路是由两极反相器作适当藕合而构成，分别是（）藕合。A、电阻B、电感C、电容D、电压E、电平F、电功
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考题 逻辑电路部分通常是由（）或被称为（）的器件，为中心的电路构成。
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考题 当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时，如果CMOS电路电源大于（）V，则必须在这两种器件之间采用电平转换器。
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考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成。
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考题 所谓电路，是由电的器件相互连接而构成的（）的通路。
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考题 下列说法错误的是（）。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低
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考题 CMOS反相器最突出的一大优点是静态功耗极小。
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考题 时序逻辑电路通常由触发器等器件构成。
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考题 填空题现代主流的集成电路加工技术为CMOS工艺，即最基本的器件是由（）和NMOS组成。
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考题 填空题闩锁效应（可控硅效应），是CMOS电路遇到的（）问题。在CMOS电路正常工作时，由于（）的突然被激发，器件电流突然（），甚至很快因Al（），使电路失效。
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考题 判断题在门电路器件中，“74”指该器件为TTL电路类型、“40”指该器件为CMOS电路类型。A 对B 错
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考题 问答题简述CMOS反相器功耗的组成？
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考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是（　　）。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用
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考题 判断题CMOS反相器电路的功效产生于输入信号为零的转换器。A 对B 错
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考题 问答题CMOS反相器设计采用哪两种准则？
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考题 判断题CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。A 对B 错
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