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（请给出正确答案）
下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是( )
A.以树突一树突式突触为结构基础
B.多见于运动传出通路中
C.潜伏期和持续时间均较长
D.因突触前膜发生超极化而产生
B.多见于运动传出通路中
C.潜伏期和持续时间均较长
D.因突触前膜发生超极化而产生
参考答案
参考解析
解析：突触前抑制以轴突一胞体式突触和轴突一轴突式突触为结构基础，不存在树突一树突式突触；因突触前膜发生去极化而产生；在中枢内广泛存在，尤其多见于感觉传入通路中，对调节感觉传入活动具有重要意义。
更多 “下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是( )A.以树突一树突式突触为结构基础 B.多见于运动传出通路中 C.潜伏期和持续时间均较长 D.因突触前膜发生超极化而产生” 相关考题
考题
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
知识点：突触前抑制突触前抑制的特点是
A.突触前膜超极化
B.突触前轴突末梢释放抑制性递质
C.突触后膜的兴备性降低
D.突触后膜的兴奋性、突触后电位降低
E.通过轴突-树突突触的活动实现
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于突触前抑制的正确描述是（）A、突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化，释放抑制性递质C、突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题关于突触前抑制的正确描述是（）A
突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B
突触前膜超极化，释放抑制性递质C
突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D
突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A
结构基础与突触前抑制不同B
到达突触前末梢的动作电位频率高C
有多个兴奋同时到达突触前末梢D
进人突触前末梢内Ca2+增多E
突触后膜有多个EPSP发生总和
考题
单选题下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是（ ）。A
以树突一树突式突触为结构基础B
多见于运动传出通路中C
潜伏期和持续时间均较长D
因突触前膜发生超极化而产生E
意义在于使神经元的活动及时终止
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