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单选题
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）
A
持续时间长
B
突触前膜去极化
C
潜伏期较长
D
通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
E
轴突末梢释放抑制性递质
参考答案
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考题
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D、潜伏期短，持续时间短E、可调节控制感觉信息的传入活动
考题
关于突触的描述中，哪一项是错误的()。A.是神经元与神经元之间或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B.可分为电突触和化学突触，通常泛指的突触是后者C.光镜下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分D.突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E.突触后膜上有特异性受体
考题
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
下述关于兴奋突触传递过程的论述，哪一项是错误的？A. 突触前膜去极化
B. Ca2+进入突触前膜
C. 突触前膜释放兴奋性递质
D. 突触后膜对Na+通透性增强
E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位
考题
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
考题
关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质并与突触前受体结合C、突触后瞄对Na+、K+、C1-，特别是Na+的通透性增高D、突触后膜出现去极化电位
考题
关于突触前抑制的正确描述是（）A、突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化，释放抑制性递质C、突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
关于突触的描述中，哪一项错误（）。A、是神经元与神经元之间，或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B、可分为电突触和化学性突触，通常泛指的突触是后者C、光镜化学性突触下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分（电镜下）D、突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E、突触后膜上有特异性受体
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A
突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B
突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C
突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D
突触后膜出现超极化电位
考题
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（ ）A
突触前轴突末梢去极化B
Ca2+由膜外进入突触前膜内C
突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D
突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E
突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于突触的描述中，哪一项错误（）。A
是神经元与神经元之间，或神经元与非神经元之间特化的细胞连接B
可分为电突触和化学性突触，通常泛指的突触是后者C
光镜化学性突触下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分（电镜下）D
突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡E
突触后膜上有特异性受体
考题
多选题下列关于突触前抑制的叙述，错误的是（）A突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少B突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质C突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触D潜伏期短，持续时间短E可调节控制感觉信息的传入活动
考题
单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（ ）。A
Ca2＋由膜外进入突触前膜内B
突触前末梢去极化C
突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D
突触后膜对K＋或Cl-的通透性升高E
突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于突触前抑制的正确描述是（）A
突触前神经元兴奋性降低，使突触后膜出现超极比电位B
突触前膜超极化，释放抑制性递质C
突触前膜去极化，兴奋性递质释放减少D
突触前膜去极化，释放抑制性递质
考题
单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（ ）A
结构基础与突触前抑制不同B
到达突触前末梢的动作电位频率高C
有多个兴奋同时到达突触前末梢D
进人突触前末梢内Ca2+增多E
突触后膜有多个EPSP发生总和
考题
单选题下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是（ ）。A
以树突一树突式突触为结构基础B
多见于运动传出通路中C
潜伏期和持续时间均较长D
因突触前膜发生超极化而产生E
意义在于使神经元的活动及时终止
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