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在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？
A．（100）
B．（111）
C．（110)
D．(211)
参考答案和解析
（111）
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考题
关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A、扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B、其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C、集力敏与力电转换检测于一体D、根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
考题
单选题关于扩散硅式压力变送器下列描述错误的是（）。A
扩散硅芯片由单晶硅经过采用集成工艺技术经过掺杂、扩散制成B
其硅片上沿单晶硅的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥C
集力敏与力电转换检测于一体D
根据压阻效应，将压力转换成破坏惠斯凳电桥桥路平衡的电流，再根据电流变化与压力大小的非线性关系，推算压力大小。
考题
问答题什么是硅片的自然氧化层？由自然氧化层引起的三种问题是什么？
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