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硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么？

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考题 洗涤沉淀是为了洗去表面吸附的杂质及混杂在沉淀中的母液。
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考题 表面吸附与下列（）因素无关。A、杂质浓度B、沉淀的总表面积C、溶液温度D、容器大小
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考题 干海蜇头水发的正确步骤是（）。A、清洗表面→漂洗去杂质→清水浸泡→切丝→清水浸泡B、清洗表面→清水浸泡→漂洗去杂质→切丝→清水浸泡C、清洗表面→清水浸泡→切丝→漂洗去杂质→清水浸泡D、清水浸泡→清洗表面→漂洗去杂质→切丝→清水浸泡
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考题 当混凝剂在水中形成胶体时，会吸附水中原有的胶体杂质， 称其为（）作用。A、中和B、表面接触C、吸附D、网捕
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考题 通常由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质主要有（）A、油脂，松香，蜡B、有机溶剂，浓酸，强酸C、硝酸，氢氟酸D、盐，水
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考题 洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液
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考题 下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是（）。A、溶液中杂质含量越大，表面吸附杂质的量越大B、温度越高，沉淀吸附杂质的量越大C、后沉淀随陈化时间增长而增加D、温度升高，后沉淀现象增大
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考题 判断题清洗是通过物理、化学方法却除清洗表面可见杂质的过程。A 对B 错
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考题 判断题有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。A 对B 错
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考题 填空题CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
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考题 问答题简述硅片清洗目标
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考题 单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A 沉淀剂B 沉淀表面吸附的杂质C 沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D 混杂在沉淀中的母液
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