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1、液-固相变时,非均态成核势垒与接触角θ有关,当()时,非均态成核势垒为均态成核势垒的一半。‍

A.θ=0°

B.θ=45°

C.θ=90°

D.θ=180°


参考答案和解析
θ =0°
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考题 选择皮尔逊Ⅲ型曲线的三个统计参数:X,CV,CS其分别代表()。A、离势系数,均值,偏态系数B、均值,偏态系数,离势系数C、均值,离势系数,偏态系数

考题 水文资料分析中,PIII型曲线的三个统计参数X、Cv、Cs分别代表()。A、离势系数、均值、偏态系数B、均值、离势系统、偏态系数C、偏态系数、均值、离势系数

考题 均向成核

考题 在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。

考题 调幅分解又称()分解、或()分解、或()分解。()分解没有形核势垒,是无核相变,通过上坡扩散,最后形成稳定的两相结构。

考题 液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

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考题 均匀成核时,临界成核位垒ΔGk=(),其值相当于()具有临界半径r的粒子数nk/N=()。

考题 当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

考题 单选题根据量子力学,当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时,下列哪种情况会发生?()A 电子有较小的概率穿过该势垒B 电子一定会被势垒弹回C 电子一定会穿过势垒D 电子会被束缚在势垒中

考题 名词解释题势垒电容(结电容)

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考题 判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A 对B 错

考题 单选题选择皮尔逊Ⅲ型曲线的三个统计参数:X,CV,CS其分别代表()。A 离势系数,均值,偏态系数B 均值,偏态系数,离势系数C 均值,离势系数,偏态系数

考题 填空题PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。

考题 单选题接触角对非均匀成核自由能的变化有影响,下列哪个接触角属润湿的非均匀成核()A 60°B 120°C 150°D 180°

考题 填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和()之和。

考题 填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

考题 单选题晶核的成核位垒越低,析晶过程越容易进行,按析晶过程由易到难的顺序排列,下列正确的是()A 均匀成核非均匀成核润湿的非均匀成核B 非均匀成核润湿的非均匀成核均匀成核C 润湿的非均匀成核非均匀成核均匀成核D 润湿的非均匀成核均匀成核非均匀成核

考题 填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

考题 判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关,当势垒加宽或变高时,势垒贯穿概率变小。A 对B 错

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考题 填空题液-固相变时,非均匀成核位垒与接触角θ有关,当θ为()时,非均匀成核位垒与均匀成核位垒相等。

考题 名词解释题隧道势垒

考题 单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流