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小功率场效应晶体管在使用中，其源极和漏极可以互换

参考答案和解析
N沟道管，电位高的端是漏极
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考题 有些场效应管的源极和漏极可以互换。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
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考题 MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
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考题 功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
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考题 场效应管从结构上看,源区和漏区是对称的,所以漏极和源极可以互换使用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 IGBT触发控制极是（）A、漏极DB、源极SC、门极GD、基极B
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考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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考题 绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
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考题 场效应晶体管源极输出器类似于共集电极电路。
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考题 场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
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考题 场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
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考题 结型场效管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出的，所以这两个电极可以互换使用。
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考题 通常结型场效应管JFET在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
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考题 从栅极输入，从漏输出的是共（）极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。
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考题 晶闸管三个电极分别叫做（）.A、阳极阴极和控制极B、阳极阴极和栅极C、屏极阴极和控制极D、漏极源极和栅极
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考题 电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、栅极G、漏极D。
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考题 场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
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考题 功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
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考题 利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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考题 多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
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考题 单选题IGBT触发控制极是（）A 漏极DB 源极SC 门极GD 基极B
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考题 判断题双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。A 对B 错
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考题 问答题MOS器件结构的对称性使其源漏区可以互换，双极型器件是否也具有同样的特点？若没有，请说明原因。
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