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稳定光照下,半导体中的载流子所处状态说法正确的是()。

A.电子和空穴浓度一直变化,半导体处于平衡状态下

B.电子和空穴浓度一直变化,半导体处于非平衡状态下

C.电子和空穴浓度保持不变,半导体处于稳态也即是平衡状态

D.电子和空穴浓度保持不变,半导体处于稳态但仍然是非平衡状态


参考答案和解析
电子和空穴浓度保持不变,半导体处于稳态也即是平衡状态
更多 “稳定光照下,半导体中的载流子所处状态说法正确的是()。A.电子和空穴浓度一直变化,半导体处于平衡状态下B.电子和空穴浓度一直变化,半导体处于非平衡状态下C.电子和空穴浓度保持不变,半导体处于稳态也即是平衡状态D.电子和空穴浓度保持不变,半导体处于稳态但仍然是非平衡状态” 相关考题
考题 N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 此题为判断题(对,错)。

考题 有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电,一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子,既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

考题 P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

考题 对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()。A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的;B、它的载流子是空穴;C、它对外呈现正电;D、它的多数载流子是空穴。

考题 本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的B、它的载流子是空穴C、它对外呈现正电D、以上说法都错

考题 半导体中的载流子是电子。

考题 下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是()A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子

考题 在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 P型半导体中的多数载流子是(),N型半导体中的多数载流子是电子。

考题 半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

考题 在本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是()型掺杂半导体,其中多数的载流子是();若在本征半导体中掺入少量的五价元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 对半导体而言,其正确的说法是()A、P型半导体多数载流子为空穴,所以它带正电B、N型半导体多数载流子为自由电子,所以它带负电C、P型半导体和N型半导体本身都不带电D、在N型半导体中,空穴是多子,自由电子是少子

考题 半导体中的多数载流子是由()形成的,少数载流子是由()产生的。

考题 N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目().

考题 N型半导体中多数载流子是(),P型半导体中多数载流子是()。

考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

考题 杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

考题 P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

考题 N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

考题 在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。

考题 填空题()和()是半导体的主要载流子,N型半导体中()浓度高于()浓度,而 P型半导体中()浓度高于 电子浓度,()半导体中的两种载流子浓度相等。

考题 填空题本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

考题 单选题对于P型半导体来说,下列说法正确的是:()A 在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的B 它的载流子是空穴C 它对外呈现正电D 以上说法都错

考题 填空题N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。

考题 问答题N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?