考题
vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。
A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
考题
半导体开关三极管正常工作的条件是工作在( )。A.截止区、饱和区B.截止区、放大区C.放大区、饱和区D.耗散区、放大区
考题
增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
考题
在脉冲电路中,三极管主要工作在()和饱和区,经过放大区的时间则是很短的。
A、放大区B、截止区C、截止放大区D、饱和放大区
考题
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。
A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
考题
增强型场效应管,工作时需要在栅源之间加正向电压()
此题为判断题(对，错)。
考题
增强型MOS管放大电路，为何不可采用自给栅偏压的结构形式？
考题
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
考题
稳压管在稳压电路中，必须工作在（）A、饱和区B、放大区C、截止区D、反向击穿区
考题
集成运放工作在非线形区时，若同相端输入电压大于反相端输入电压，输出电压为（）。A、负的饱和值B、零C、正的饱和值D、不确定
考题
三极管作为开关时工作区域是（）A、饱和区+放大区B、击穿区+截止区C、放大区+击穿区D、饱和区+截止区
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
晶体三极管在电路中用作“开关”时，不能工作在（）。A、截止区和放大区B、放大区和饱和区C、截止区和饱和区D、放大区
考题
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
考题
三极管作放大管时一般工作在（）。A、放大区B、截止区C、饱和区
考题
耗尽型MOS管工作在放大状态时，其栅压可正可负。
考题
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
考题
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
考题
当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
考题
场效应管中，Idss表示栅源电压为零时的（）电流。
考题
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
考题
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
考题
EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。
考题
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
考题
判断题从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。A
对B
错
考题
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A
正极性B
负极性C
零D
不能确定
考题
单选题在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）A
增大B
减小C
不变D
先减小后增大