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关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

A.突触后膜去极化

B.突触后膜出现超极化

C.突触后膜对Ca2+通透性增大

D.突触前轴突末梢超极化

E.由突触前膜递质释放量减少所致


参考答案和解析
与突触后膜对Cl-、K+通透性增加有关;发生在突触后抑制中
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考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突触后膜出现超极化D.突触后膜出现复极化E.以上都不是

考题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化电位D、由突触前膜递质释放量减少所致E、是局部去极化电位

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考题 关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()。A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触后膜出现复极化

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考题 对于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是()A、突触前轴突末梢超极化B、对Ca2+、K+通透性增大C、突触后膜出现超极化D、突触后膜去极化E、突触前膜去极化

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