考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。
A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
考题
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。
A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
考题
当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
考题
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
考题
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
考题
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
考题
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
考题
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A
1VB
0.2VC
0.6V
考题
单选题常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A
0.1B
0.3C
0.5D
0.7
考题
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A
对B
错
