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雪崩二极管中因雪崩击穿产生大量的电子与空穴对,电子被正极吸收,空穴在本征层将以一定的饱和漂移速度向阴极运动。


参考答案和解析
错误
更多 “雪崩二极管中因雪崩击穿产生大量的电子与空穴对,电子被正极吸收,空穴在本征层将以一定的饱和漂移速度向阴极运动。” 相关考题
考题 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴,空穴B、空穴,电子C、电子,电子D、电子,空穴

考题 在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。

考题 P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3

考题 半导体中空穴电流是由()所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的

考题 在本征半导体中,自由电子和空穴是独自产生的,互相无关联。

考题 本征半导体中,空穴对外呈正电,其电量与电子电量相等。

考题 简述雪崩和本征电击穿的区别。

考题 空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 当环境温度升高时,本征半导体中() A、自由电子的数量增加,而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变,而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 本征半导体温度升高以后()。A、自由电子增多,空穴数基本不变B、空穴数增多,自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多,且数目相同

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。A、大于B、等于C、小于

考题 本征半导体温度升高后()。A、自由电子数目增多,空穴数目基本不变B、空穴数目增多,自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

考题 单选题空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A 相同B 相反C 有时相同D 有时相反

考题 判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A 对B 错

考题 填空题电子和空穴在外电场作用下电子向正极、空穴向负极的运动,称之为()运动。

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 判断题雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。A 对B 错

考题 单选题本征半导体载流子()A 自由电子和空穴的浓度无法确定B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度相等