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填空题
闩锁效应(可控硅效应),是CMOS电路遇到的()问题。在CMOS电路正常工作时,由于()的突然被激发,器件电流突然(),甚至很快因Al(),使电路失效。

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考题 描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)

考题 对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较,以下描述中不正确的是______。A.TTL电路是电压控制,CMOS电路是电流控制 B.TTL电路速度快,但是功耗大,CMOS电路速度慢,传输延迟时间长 C.CMOS电路具有锁定效应 D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或下拉电阻

考题 CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成的。

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考题 CMOS集成门电路的内部电路由场效应管构成。

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考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

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考题 问答题描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。

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