网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）
单选题
如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）
A

后沉淀

B

机械吸留

C

包藏

D

混晶

参考答案

参考解析
解析： 暂无解析
更多 “单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A 后沉淀B 机械吸留C 包藏D 混晶” 相关考题
考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
查看答案
考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
查看答案
考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为()。A.混晶B.吸留C.混杂D.吸附
查看答案
考题 沉淀重量法在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫（）现象，其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有（）和（）。
查看答案
考题 如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
查看答案
考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附
查看答案
考题 陈化过程可以除去由吸咐和吸留引入的杂质离子，但不能除去由混晶共沉淀带入的杂质离子。（）
查看答案
考题 共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
查看答案
考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
查看答案
考题 形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
查看答案
考题 下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。
查看答案
考题 下面使沉淀纯净的选项是（）。A、表面吸附现象B、吸留现象C、后沉淀现象D、再沉淀
查看答案
考题 用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（）。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀
查看答案
考题 共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
查看答案
考题 下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
查看答案
考题 沉淀被沾污的原因有（）A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀
查看答案
考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
查看答案
考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
查看答案
考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
查看答案
考题 在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
查看答案
考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。
查看答案
考题 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常用待测离子一道与够晶离子形成（）A、吸留B、混晶C、包夹D、继沉淀
查看答案
考题 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
查看答案
考题 单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀
查看答案
考题 多选题沉淀被沾污的原因有（）A表面吸附B混晶C包藏D后沉淀
查看答案
考题 单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A 后沉淀B 机械吸留C 包藏D 混晶
查看答案
考题 填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
查看答案
考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
查看答案
热门标签
最新试卷