考题
用洗涤方法可除去的沉淀杂质是()
A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
考题
利用无机共沉淀剂进行共沉淀主要有表面吸附共沉淀和生成混品共沉淀两种方法。()
此题为判断题(对，错)。
考题
如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
考题
共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
考题
造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
考题
重量分析中，当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时，其原因是由于（）。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似
考题
形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
考题
下面使沉淀纯净的选项是（）。A、表面吸附现象B、吸留现象C、后沉淀现象D、再沉淀
考题
共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
考题
重量分析中当沉淀从溶液中析出时，其他某些组份被被测组份的沉淀带下来而混入沉淀之中这种现象称后沉淀现象。
考题
称量分析中，当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时，其原因是由于（）。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似
考题
当沉淀从溶液中析出时，溶液中其他可溶性组分被沉淀带下来而混入沉淀之中的现象称为（）现象。A、共沉淀B、沉淀析出C、后沉淀D、表面析出
考题
下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
考题
沉淀称量法中，洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质，以及产生共沉淀的其他离子。
考题
沉淀被沾污的原因有（）A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀
考题
重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
考题
如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
考题
洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A、沉淀剂B、沉淀表面吸附的杂质C、沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D、混杂在沉淀中的母液
考题
重量分析中，当杂质在沉淀过程中以混晶形式进入沉淀时，主要是由于（）A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀酸度过快D、离子结构类似
考题
下面影响沉淀纯度的叙述不正确的是（）。A、溶液中杂质含量越大，表面吸附杂质的量越大B、温度越高，沉淀吸附杂质的量越大C、后沉淀随陈化时间增长而增加D、温度升高，后沉淀现象增大
考题
如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
考题
重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
考题
多选题沉淀被沾污的原因有（）A表面吸附B混晶C包藏D后沉淀
考题
单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A
构晶离子B
高价离子C
极化程度大的离子D
浓度大的离子
考题
单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A
后沉淀B
机械吸留C
包藏D
混晶
考题
单选题洗涤沉淀的目的是为了洗去（）。A
沉淀剂B
沉淀表面吸附的杂质C
沉淀表面吸附的杂质和混杂在沉淀中的母液D
混杂在沉淀中的母液
考题
单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A
表面吸附B
混晶C
机械吸留D
后沉淀
