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重量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进入沉淀时,主要是由于()

  • A、沉淀表面电荷不平衡
  • B、表面吸附
  • C、沉淀酸度过快
  • D、离子结构类似

参考答案

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考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀

考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质

考题 沉淀完成后进行陈化是为了()。 A、使无定形沉淀转变为晶形沉淀B、使沉淀更为纯净,同时使颗粒变大C、除去混晶共沉淀带入的杂质D、加速后沉淀作用

考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。此题为判断题(对,错)。

考题 重量分析中要求沉淀物要纯净,()。A、沉淀中不能含有水分子B、沉淀式与称量式完全一致C、沉淀为晶型沉淀D、要避免杂质的沾污

考题 沉淀重量法在进行沉淀反应时,某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫()现象,其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有()和()。

考题 造成后沉淀的原因,说法错误的是()。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液

考题 重量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时,其原因是由于()。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似

考题 在重量分析中,被测组分反应后生成的沉淀叫沉淀形式。

考题 由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。

考题 称量分析中,当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时,其原因是由于()。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似

考题 在重量分析中,下面说法()是错误的。A、杂质浓度越大,则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀,颗粒越大,则总表面越大,吸附杂质的量越多C、溶液温度升高,吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时,沉淀迅速长大,易使得杂质离子被包藏在沉淀内部

考题 重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子

考题 下列说法正确的有()。A、无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B、沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C、由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D、可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格,这就形成()A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶

考题 混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀

考题 在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀

考题 在下列叙述中,正确的是()A、在重量分析中,需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀,应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器B、同一种沉淀,小颗粒溶解度大C、重量分析,要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mgD、引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶

考题 沉淀洗涤的目的是洗去由于吸留或混晶影响沉淀纯净的杂质。

考题 减少或消除混晶沉淀的方法是在沉淀时加入沉淀剂的酸度慢,沉淀进行陈化。

考题 填空题混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有()的杂质离子,可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置,而生成混晶。

考题 单选题重量分析中,沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污,沉淀表面最优先吸附的离子是()A 构晶离子B 高价离子C 极化程度大的离子D 浓度大的离子

考题 多选题下列说法正确的有()。A无定形沉淀要在较浓的热溶液中进行沉淀,加入沉淀剂速度适当快。B沉淀称量法测定中,要求沉淀式和称量式相同。C由于混晶而带入沉淀中的杂质通过洗涤是不能除掉的。D可以将AgNO3溶液放入在碱式滴定管进行滴定操作。

考题 单选题在下列叙述中,正确的是()A 在重量分析中,需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀,应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器B 同一种沉淀,小颗粒溶解度大C 重量分析,要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mgD 引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶

考题 单选题在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成()A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀

考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近,电荷相同,则易形成()A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀