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单选题
晶体结构中的缺陷在温度为（）时才能生成。
A

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考题 影响电子电导的因素包括温度、晶体结构、晶格缺陷（）
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考题 缺陷的处理时限为（）。A、紧急缺陷处理时间不超过24小时；重大缺陷处理时间不超过半个月；一般缺陷在6个月内完成消缺B、紧急缺陷处理时间不超过24小时；重大缺陷处理时间不超过7日；一般缺陷在3个月内完成消缺C、紧急缺陷处理时间不超过24小时；重大缺陷处理时间不超过7日；一般缺陷在6个月内完成消缺D、紧急缺陷处理时间不超过12小时；重大缺陷处理时间不超过7日；一般缺陷在6个月内完成消缺
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考题 根据机体缺铁的进展，体内缺铁的阶段依次为（）A、铁减少期、红细胞生成缺铁期、缺铁性贫血期B、红细胞生成缺铁期、铁减少期、缺铁性贫血期C、铁减少期、肝铁耗竭期、缺铁性贫血期D、红细胞生成缺铁期、缺铁性贫血期、肝铁耗竭期E、铁减少期、红细胞生成缺铁期、肝铁耗竭期
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考题 宝石的有色性取决于？（）A、化学成分B、晶体结构C、生成环境D、致色元素
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考题 对于质检操作，需要对有间距的缺陷在带钢上测量时，应通知主操停机挂牌后才能处理。
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考题 在一定温度下，当溶液中离子浓度乘积＜溶度积时，溶液中（）。A、有沉淀生成B、不一定有沉淀生成C、无沉淀生成
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考题 晶粒中的主要三种晶体结构及代表元素为：（）；晶格常数为：（）。
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考题 铁在不同的温度范围有不同的晶体结构，随着温度升高依次是（）、（）、（）三种形态。
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考题 材料的力学性能主要取决于（）。A、材料的组分和形成温度B、材料的大小和组分C、材料的组分和晶体结构D、材料的大小和晶体结构
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考题 铁素体的晶体结构为（）。A、体心立方晶体结构B、面心立方晶体结构C、密排立方晶体结构
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考题 只有当工件中缺陷在各个方向的尺寸均大于声束截面时，才能采用测长法确定缺陷长度。
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考题 铁在不同温度下具有α-Fe、γ-Fe、δ-Fe三种晶体结构。
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考题 溶液中各离子浓度的乘积大于该温度下的（）时，有沉淀生成。
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考题 当天然气系统温度高于水化物生成的临界温度时，在（）。A、高压下能生成水化物B、中压下能生成水化物C、任何压力下都不能生成水化物D、常压下能生成水化物
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考题 FCC、BCC、HCP三种晶体结构中，塑性变形时最容易生成孪晶的是（）。
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考题 大部分植物种子只有在温度高于（）时才能萌发，只有温度高于（）时作物才能生长，只有温度高于（）时才能正常进行生长发育。
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考题 下列哪个选项不是雨水计算中初算和复算的区别（）A、初算既可以生成计算书也可以校核过流能力B、复算才能生成计算书C、初算才能生成计算书D、复算时软件进行过流能力校核
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考题 在单端固定桥的设计中，假定余留牙条件正常，下列哪一种基牙选择最合理（）A、2缺时，3为基牙B、3缺时，2为基牙C、6缺时，7为基牙D、4缺时，5为基牙E、2缺时，1为基牙
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考题 严重缺陷在多长时间内消缺为消缺及时？
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考题 宝石有无二色性取决于：（）.A、化学成分B、晶体结构C、生成环境
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考题 宝石有多色性取决于：（）.A、化学成分B、晶体结构C、生成环境
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考题 在固态下晶体结构随温度的变化发生改变的现象，称为（）。
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考题 填空题FCC、BCC、HCP三种晶体结构中，塑性变形时最容易生成孪晶的是（）。
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考题 填空题大部分植物种子只有在温度高于（）时才能萌发，只有温度高于（）时作物才能生长，只有温度高于（）时才能正常进行生长发育。
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考题 单选题根据机体缺铁的进展，体内缺铁的阶段依次为（　　）。A 铁减少期、红细胞生成缺铁期、缺铁性贫血期B 红细胞生成缺铁期、铁减少期、缺铁性贫血期C 铁减少期、肝铁耗竭期、缺铁性贫血期D 红细胞生成缺铰期、缺铁性贫血期、肝铁耗竭期E 铁减少期、红细胞生成缺铁期、肝铁耗竭期
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考题 填空题在固态下晶体结构随温度的变化发生改变的现象，称为（）。
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考题 判断题只有当工件中缺陷在各个方向的尺寸均大于声束截面时，才能采用测长法确定缺陷长度。A 对B 错
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