考题
在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。
A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
考题
比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。
A.GTOB.GTRC.MOSFET
考题
在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
考题
主导TFT器件工作的半导体现象是什么？它的物理意义和主要影响参数？为提高TFT器件在液晶显示器中的开关作用，从半导体的角度应该提高什么，降低什么？
考题
晶闸管（可控硅）是一种新型大功率半导体器件它主要用于（）。A、开关B、整流C、逆变、变频D、调压、调速
考题
开关量输出模块在可控硅输出方式中，（）作为开关器件，同时有是隔离器件A、继电器B、三极管C、模拟开关D、固态继电器
考题
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
在P型半导体中，（）是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
考题
单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
考题
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
考题
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
考题
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
考题
在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
考题
P型半导体和N型半导体中都有载流子，但就半导体器件本身都是（）A、不带电的B、带正点的C、带负电的
考题
判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。A
对B
错
考题
填空题P型半导体是在硅晶体中渗入（）形成的，其多数载流子是（）。
考题
填空题N型半导体是在硅晶片上掺入少量的（）而形成的，其多数载流子是（）。
考题
填空题（）和（）是半导体的主要载流子，N型半导体中（）浓度高于（）浓度，而 P型半导体中（）浓度高于 电子浓度，（）半导体中的两种载流子浓度相等。
考题
问答题半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？
考题
填空题硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。
考题
填空题从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（）和（）（）。
考题
填空题在硅晶体中掺入少量磷，则形成（）半导体，其少数载流子为（）。
