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填空题
硅半导体的导电过程存在（）和空穴两种载流子。

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考题 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类,由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为()。 A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件
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考题 场效应管靠()导电。 A、一种载流子B、两种载流子C、电子D、空穴
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考题 在半导体中,有自由电子和空穴两种载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 P型半导体多数载流子是空穴,P型半导体对外显() A、中性B、导电性C、正电D、负电
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考题 P类半导体中,参加导电的多数载流子是()。 A.电子B.质子C.空穴
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考题 有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 半导体中有（）和空穴两种载流子。A、原子B、离子C、电子D、中子
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考题 在半导体中，通常有（）和空穴两种载流子。
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考题 半导体中参与导电载流子是（）A、阳离子B、阴离子C、电子D、空穴
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考题 N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。A、电子B、质子C、空穴
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考题 P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
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考题 在本征半导体中，因为有自由电子和空穴两种载流子，所以其导电能力很强。
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考题 在P型半导体中，（）是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗
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考题 P型半导体材料导电的载流子是空穴。
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考题 半导体中有（）和空穴两种载流子。
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子参与导电。
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考题 部类半导体中，参加导电的多数载流子是（）。A、电子B、质子C、空穴
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 判断题半导体中存在两种载流子，只有自由电子参与导电，而空穴不参与导电。A 对B 错
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考题 单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A 空穴；空穴B 空穴；自由电子C 自由电子；空穴D 自由电子；自由电子
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