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3、霍尔效应测量力的原理是力作用在半导体材料上，然后产生（)。

A．电动势

B．电阻

C．电荷变化

D．导磁率变化

参考答案和解析
半导体、电动势
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考题 半导体应变片的工作原理基于半导体材料的热阻效应。()
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考题 活塞式压力计是利用被测压力作用在（）上的力与活塞和砝码的（）相平衡的原理制成的压力计。
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考题 压阻式压力传感器是利用（）的原理（半导体材料受压时电阻车发生变化）直接将压力转换为电信号A、压阻效应B、光电效应C、电磁感应D、霍尔效应
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考题 霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。A、锗B、硅C、砷化镓D、砷化铟
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考题 利用霍尔效应可以制成开关型传感器。广泛应用于（）等。A、测转速B、测温度C、测量力D、制作接近开关
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考题 TQG3A型电压传感器利用霍尔效应，采用磁补偿原理，通过霍尔元件实现对直流、交流及脉动电流的电隔离测量，输出信号反比于被测电流。
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考题 热电偶的测温原理是导体或半导体材料的热电效应原理。
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考题 光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。 A、光子效应B、霍尔效应C、热电效应D、压电效应
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考题 用霍尔法测磁感应强度时，霍尔片上除了不等势电压外，还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应，这些副效应大多通过（）方法，即改变（）和（）的方向加以消除。如果电流沿X轴方向，磁场沿Z轴方向，由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向，则此霍尔元件是由（）（填N型或P型）半导体材料制造的。
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考题 霍尔式曲轴位置传感器是利用霍尔效应原理，产生与曲轴转角相对应的电压脉冲信号的。（）
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考题 霍尔元件是采用半导体材料制成的。
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考题 基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。
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考题 霍尔效应的本质是什么？霍尔元件可以测哪些物理量？设计一个利用霍尔元件测量转速的装置，并说明原理。
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考题 压磁式传感器的原理是利用铁磁材料的（）。A、压电效应B、压磁效应C、光电效应D、霍尔效应
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考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的霍尔效应。
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考题 基于霍尔效应工作的半导体器件称为霍尔元件。
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考题 半导体材料的电阻率随作用应力而变化的效应称为（）。A、压电效应B、霍尔效应C、热电效应D、压阻效应
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考题 金属材料的霍尔效应比半导体材料的霍尔效应强。
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考题 半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A、压阻效应；B、应变效应；C、霍耳效应；D、光电效应
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考题 霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场
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考题 霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体晶片，且电流、磁场、晶片相互垂直时，在洛伦兹力作用下半导体基片上将产生一个（）。A、线性变化的电流B、线性变化的电压C、矩形波电压D、尖峰波电流
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考题 霍尔压力变送器是利用（）效应把压力作用下弹性元件产生的（）转换成（）输出的变送器。
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考题 活塞式压力计，是利用被测压力作用在（）上的力，与活塞和砝码的（）相平衡的原理而制成的压力计。
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考题 判断题基于霍尔效应工作的半导体元件多采用P型半导体材料。A 对B 错
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考题 单选题光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照下，产生（）.使材料的电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。光子效应所制成的红外探测器。A 光子效应B 霍尔效应C 热电效应D 压电效应
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考题 单选题半导体应变片的工作原理是基于半导体材料的（）。A 弹性模量B 热电效应C 压电效应D 压阻效应
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考题 问答题什么是霍尔效应？为什么半导体材料适合于做霍尔元件？
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