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Bi-CMOS是同时包括双极和MOS管的集成电路。


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考题 MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对,错)。

考题 元器件装焊顺序是:()。 A.电阻器→二极管→三极管→电容器→集成电路→大功率管B.电阻器→三极管→电容器→二极管→集成电路→大功率管C.电阻器→二极管→电容器→三极管→大功率管→集成电路D.电阻器→二极管→电容器→三极管→集成电路→大功率管

考题 一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载

考题 IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

考题 双极性集成电路是指由()和()型晶体管组成的集成电路。

考题 MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。

考题 硅外延片的应用包括()。A、二极管和三极管B、电力电子器件C、大规模集成电路D、超大规模集成电路

考题 单极型集成电路不包含().A、普通晶体管(NPN管或PNP管)B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS(即CMOS)

考题 晶体三极管和MOS管是同一个器件

考题 我们常用到的电子元件有电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路,其中()是有极性的。A、电阻B、电容C、电感D、二极管E、三极管F、集成电路

考题 MOS管的栅极可与双极型三极管的()相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极

考题 MOS管的栅极与双极型三极管的相对应()A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极

考题 双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

考题 所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。

考题 MOS管的栅极可与双极型栅极的()相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极

考题 晶体三极管、电阻、集成电路、超大规模集成电路等元件的装连顺序是()。A、晶体三极管、电阻、超大规模集成电路、集成电路B、集成电路、超大规模集成电路、电阻、晶体三极管C、电阻、晶体三极管、集成电路、超大规模集成电路D、超大规模集成电路、集成电路、晶体三极管、电阻

考题 MOS管D极的功能相当于一般晶体管的集电极。

考题 下列元件是单极性元件的有()。A、晶体二极管B、晶体三极管C、MOS晶体管D、电阻

考题 MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A、栅极(G)B、漏极D.C、C.基极D、源极(S)

考题 常用的电子开关有()。A、继电器B、双极型晶体管C、MOS场效应晶体管D、二极管

考题 固体半导体摄像元件CCD是一种()A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路

考题 某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

考题 CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

考题 问答题双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些?

考题 判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。A 对B 错

考题 多选题关于高宽长比MOS管的版图,下列说法正确的是()A高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。B高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。C高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。D高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

考题 单选题MOS管有三个电极,以下性不属于MOS管的电极是:()A 栅极(G)B 漏极D.C C.基极D 源极(S)

考题 问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中,为什么都要用外延层?