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双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。

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考题 静态随机存储器可以用双极型器件构成，也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比，下面哪一项不是它的特点( )A．工艺较简单B．集成度较低C．存取速度低D．功耗比较大
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考题 ()结具有单向导电能力,将P型半导体连电池()极,n型半导体连电池()极,电流能通过()结流通。
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考题 下列关于半导体的说法正确的是()。 A、P型半导体带正电，N型半导体带负电B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用D、以上说法都是错误的
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考题 227）下图为某一半导体三极管T的图形符号，由该图形符号可知该半导体三极管T是NPN型半导体三极管。（ ）
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考题 二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。A对B错
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考题 p型半导体的一端叫（）极，n型半导体的一端叫（）极。
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考题 （）结具有单向导电能力，将n型半导体连电池（）极，p型半导体连电池（）极，电流不能通过（）结流通。
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考题 （）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体
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考题 二极管由P型半导体引出的电极为（）
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考题 单极型半导体器件是（）。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管
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考题 与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A、速度快B、集成度高C、功耗大
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考题 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 单极型半导体器件是（）。A、二极管B、双极性二极管C、场效应管
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考题 半导体三极管分为（）型和（）型两类。
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考题 场效应管属于（）型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是（）型器件。
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考题 二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。
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考题 二极管的阳极从N型半导体引出，阴极从P型半导体引出。
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考题 二极管是由（）、电极引线以及外壳封装构成的。A、一个PN结B、P型半导体C、N型半导体D、本征半导体
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考题 双极型半导体器件是（）A、二极管B、三极管C、场效应管D、稳压管
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考题 双极型半导体器件是（）。A、二极管B、三级管C、场效应管D、稳压管
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考题 单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A 空穴是多数载流子B 在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D 在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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考题 问答题半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A 只存在一种载流子：自由电子B 在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C 在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D 在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 填空题双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。
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考题 单选题与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A 速度快B 集成度高C 功耗大
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考题 填空题二极管由P型半导体引出的电极为（）
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