考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
考题
晶体管工作在放大区时,发射结处于()。
A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
考题
晶体管工作在放大状态的条件是( )。A.发射结反向偏置，集电结反向偏置B.发射结反向偏置，集电结正向偏置C.发射结正向偏置，集电结反向偏置D.发射结正向偏置，集电结正向偏置
考题
晶体管工作在放大区时,集电结处于()。
A、正向偏置B、反向偏置C、正偏或反偏D、不能确定
考题
晶体管处于饱和状态时的条件是发射结( )偏置,集电结( )偏置.A、正向，反向B、正向，正向C、反向，反向D、反向，正向
考题
晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
考题
晶体管处于放大状态的条件为()。
A.发射结正向偏置，集电结正向偏置B.发射结正向偏置，集电结反向偏置C.发射结反向偏置，集电结正向偏置D.发射结反向偏置，集电结反向偏置
考题
共发射极电路的放大区描述正确的?_________
A.发射结处于正向偏置B.集电结处于反向偏置C.晶体管工作于放大状态也称为线性区D.放大区具有电流放大作用
考题
使晶体管处于放大状态的偏置状况是:()结正偏,()结反偏。
考题
晶体管具有电流放大作用的外部条件是:()结正向偏置;()结反向偏置。
考题
NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（ ）。
考题
三极管作电流放大时，在发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。
考题
当晶体管处于放大状态时，其特征是：发射结处于（）偏置，集电结处于反向偏置。A、正向B、反向C、左向D、右向
考题
普通晶体管用作放大时，输入端发射结保持为（）。A、反向偏置B、正向偏置C、正向、反向偏置均可
考题
晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（）。A、发射结为反向偏置B、集电结为正向偏置C、始终工作在放大区
考题
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
考题
发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。（）
考题
处于放大工作状态的晶体管，要设置合适的（）A、偏置电路B、整流电路C、逆变电路D、放大电路
考题
晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（）A、截止B、放大C、饱和D、损毁
考题
双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。
考题
双极型晶体管（BJT）放大偏置时，应在其发射结加（）电压，在集电结加（）电压。
考题
双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。
考题
三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在饱和状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。若工作在截止状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。
考题
晶体管在放大状态时，集电极为反向偏置，而发射结正向偏置。
考题
单选题三极管工作在截止状态时其条件是（）。A
发射结正向偏置，集电结反向偏置B
发射结电压小于其死区电压C
发射结集电结都正向偏置D
集电结电压大于其死区电压
考题
单选题晶体管工作在放大区的条件是（）。A
发射结正向偏置，集电结反向偏置B
发射结反向偏置，集电结正向偏置C
发射结正向偏置，集电结正向偏置D
发射结反向偏置，集电结反向偏置
考题
填空题在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。
考题
单选题无论是PNP型还是NPN型三极管，工作在放大状态时其条件是（）A
发射结正向偏置，集电结反向偏置B
发射结反向偏置，集电结正向偏置C
发射结正向偏置，集电结正向偏置D
发射结反向偏置，集电结反向偏置
