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2、半导体内层电子所处的能带较窄,二次微商小,具有较大的有效质量。


参考答案和解析
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考题 石墨炉原子吸收分析和分子荧光分析分别利用的是A、原子内层电子和分子内层电子跃迁B、原子核和分子内层电子跃迁C、原子外层电子和分子外层电子跃迁D、原子外层电子和分子振动跃迁E、原子内层电子和分子振动跃迁

考题 原子核外电子在不同的壳层时,具有不同的能量,下列说法正确的是A、外层电子能量等于内层电子能量B、外层电子能量低于内层电子能量,C、外层电子能量高于内层电子能量D、外层电子的结合势能高于内层电子的结合势能E、外层电子的结合势能等于内层电子的结合势能

考题 电子器件所用的半导体具有晶体结构因此把半导体也称为晶体。() 此题为判断题(对,错)。

考题 钝化膜具有电子传导性质,介于半导体和绝缘体之间的弱电子导体。()

考题 数值孔径小,容易耦合,微弯敏感小,带宽较窄。() 此题为判断题(对,错)。

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 特征辐射的产生是由于( )A、核外内层电子向外层电子跃迁B、核外外层电子向内层电子跃迁C、核外外层电子向内层电子空穴跃迁D、核外内层电子向外层电子空穴跃迁E、核外内层电子向光学轨道跃迁

考题 软磁材料具有()的矫顽磁力,磁滞回线()。A、较小;较窄B、较大;较宽C、较小;较宽D、较大;呈矩形

考题 电位滴定确定终终点的方法有()一次微商ΔE/ΔV-V曲线法,二次微商Δ2E/ΔV2-V曲线法。

考题 硬磁材料的磁滞回线(),磁滞损耗()。A、较宽;较小B、较宽;较大C、较窄;较小D、较窄;较大

考题 与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子D、禁带宽度较窄

考题 数值孔径小,容易耦合,微弯敏感小,带宽较窄。

考题 按照能带结构理论,本征半导体的能带可以分为()个。A、1B、2C、3D、4

考题 特征辐射是核外电子在原子内特定能级间跃迁形成的,下列说法正确的是()。A、特征辐射可以用来识别原子的种类B、外层电子能量低于内层电子能量C、外层电子能量等于内层电子能量D、外层电子的结合势能高于内层电子的结合势能E、外层电子的结合势能等于内层电子的结合势能

考题 几乎所有的III-v族化合物半导体都是()能带结构,具有(),光吸收系数很大,对薄膜太阳能电池是有用的。

考题 多选题办理小微企业“商票质押贷”业务,申请质押的商票应合法有效,且未注明()字样。A“不得转让”B“质押”C“委托收款”D“已兑付”

考题 单选题重空穴指的是()。A 质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D 自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

考题 单选题原子核外电子在不同的壳层时,具有不同的能量,下列说法正确的是()A 外层电子能量等于内层电子能量B 外层电子能量低于内层电子能量,C 外层电子能量高于内层电子能量D 外层电子的结合势能高于内层电子的结合势能E 外层电子的结合势能等于内层电子的结合势能

考题 单选题与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()A 比半导体的大B 比半导体的小C 与半导体的相等

考题 问答题论述非晶态半导体的能带模型。

考题 问答题简述半导体能带特点。

考题 问答题本征半导体的能带与绝缘体的能带有何异同?

考题 填空题晶体中电子的速度与波矢空间中能带的()成正比;有效质量与波矢空间中能带的()成反比。

考题 填空题能带理论中,电子的E~K关系具有()周期性。

考题 单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶

考题 问答题半导体的能带结构与金属导体、绝缘体的能带结构有何区别?

考题 单选题特征辐射的产生是由于()。A 核外内层电子向外层电子跃迁B 核外外层电子向内层电子跃迁C 核外外层电子向内层电子空穴跃迁D 核外内层电子向外层电子空穴跃迁E 核外内层电子向光学轨道跃迁

考题 问答题半导体中的杂质对半导体的能带结构和电学性质有何影响?