考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
硅二极管导道的饱和压降为（）A、0.7伏B、0.3伏C、1伏D、没有压降
考题
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
考题
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
考题
发光二极管的导通压降为（）A、0.5～0.7VB、1V左右C、1.8～2.5V
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
汽车硅整流发电机用的整流二极管，当单个二极管导通时，其正向压降为（）伏。A、0.3B、0.7C、0.9D、1.15
考题
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
考题
问答题绿色发光二极管的导通压降大概是多少伏？
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
单选题硅开关二极管导通时的正向压降为（）。A
0.5VB
0.7VC
0.1VD
0.3V