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R-K方程、P-R方程等是实用的立方型方程,对于摩尔体积V存在三个实根或者一个实根,当存在一个实根V值(其余二根为虚根)时,V值是()

A.饱和液体体积

B.饱和蒸汽体积

C.过热蒸汽

D.过冷液体


参考答案和解析
液相摩尔体积
更多 “R-K方程、P-R方程等是实用的立方型方程,对于摩尔体积V存在三个实根或者一个实根,当存在一个实根V值(其余二根为虚根)时,V值是()A.饱和液体体积B.饱和蒸汽体积C.过热蒸汽D.过冷液体” 相关考题
考题 R-K方程、P-R方程等是实用的立方型方程,对于摩尔体积V存在三个实根或者一个实根,当存在一个实根V值(其余二根为虚根)时,V值是()。 A、饱和液体体积B、饱和蒸汽体积C、过热蒸汽D、过冷液体

考题 方程y=cosx在(0,∏/2)内至少有一实根。() 此题为判断题(对,错)。

考题 控制系统的特征方程式的根是负实根或共轭复根具有负实部时,系统是不稳定的。()

考题 当阻尼比为1时,特征方程有两个不相等的负实根,系统为过渡阻尼系统。()

考题 当阻尼比大于1时,特征方程有两个不相等的负实根,系统为过渡阻尼系统。() 此题为判断题(对,错)。

考题 以下是一个判断一元二次方程ax2+bx+c=0根的方程的程序,请补充该程序。提示:当a<>0时有两个根.设delta=b2-4ac,当delta>0时,有两个不同的实根.当delta=0时,有两个相同的实根。当delta<0时,有两个不同的虚根。当a=0,b<>0时,有一个根。当a=0、b=0时,方程无意义。Private Sub Command1_Click()Dim a As SingleDim b As SingleDim c As SingleDim sb As SingleDim xb As SingleDim re As Singlea = InputBox (“请输入a的值”)c = InputBox(“请输入c的值”)if【 】thendelta = b ^2- 4 * a * cre = -b/(2 * a)if【 】thensb = Sqr (delta)/(2 * a)Print “方程有两个实根”Elseif delta = 0 thenPrint “方程有两个相等实根”Elsexb = Sqr( - delta)/(2 * a)Print “方程有两个虚要”End ifElseif【 】thenygz = - b / cPrint “方程仅有一个根”Elseprint “方程无意义”End ifEnd ifEnd Sub

考题 设有方程f(x)=0在区间[a,b]上有实根,且f(a)与f(b)异号,利用二分法求该方程在区间[a,b]上的一个实根,采用的算法设计技术为( )

考题 设有方程f(x)一0在区间[a,b]上有实根,且f(a)与f(b)异号,利用二分化法求该方程在区间[a’b]上的一个实根,采用的算法设计技术为

考题 方程x-cos(x-1)=0在下列区间中至少有一个实根的区间是( ).A.(-∞,0) B.(0,π) C.(π,4) D.(4,+∞)

考题 方程x-lnx-2=0在区间(0,+∞)内( )。A.没有实根 B.只有一个实根 C.有两个相异的实根 D.有两个以上相异实根

考题 方程x3+2x2-x-2=0在[-3,2]内()A.有1个实根 B.有2个实根 C.至少有1个实根 D.无实根

考题 设随机变量X~N(μ,σ^2),且方程x^2+4r+X=0无实根的概率为,则μ=_______.

考题 已知方程有3个不同实根,则K的取值范围

考题 求方程karctanx-x=0不同实根的个数,其中k为参数.

考题 设函数f(x)在区间[0,1]上具有2阶导数,且,证明:   (Ⅰ)方程f(x)=0在区间(0,1)内至少存在一个实根;   (Ⅱ)方程在区间(0,1)内至少存在两个不同实根.

考题 A.方程有两个正实根 B.方程只有一个正实根 C.方程只有一个负实根 D.方程有一正一负两个实根 E.方程有两个负实根

考题 a,b,c是一个三角形的三边长,则方程x2+2(a+b)x+c2=0的根的情况为A.有两个不等实根 B.有两个相等实根 C.只有一个实根 D.没有实根 E.无法断定

考题 已知p:方程x2+mx+1=0有两个不等负实根。q:方程4x2+4(m-2)x+1=0无实根。若p或q为真,p且q为假。求实数m的取值范围。

考题 一元二次方程的实根()A、至少一个B、最多二个C、没有D、只有一个

考题 将米氏方程改为双倒数方程后()。A、1/v与1/[S]成反比B、以1/v对1/[S]作图,其横轴为1/[S]C、v与[S]成正比D、Km值在纵轴上E、Vmax值在纵轴上

考题 RLC串联电路零输入相应分析时,会得到一个二阶齐次微分方程,由于电路中R、L、C的参数不同,该方程的特征根可能是()。A、两个不等的负实根B、一对相等的负实根C、一对实部为负的共轭复数D、以上皆有可能

考题 有关立方型状态方程,不正确的是()。A、立方型状态方程都可展开为V的三次方多项式方程B、RK方程、Soave方程、PR方程都是重要的立方型状态方程C、在立方型状态方程的实际计算中,需要物质的临界参数D、每一种物质都需要自己的立方型状态方程参数,以便实际使用

考题 根轨迹的分离点或会合点是特征方程的()。A、重根B、实根C、共轭虚根

考题 单选题在区间(-∞,+∞)内方程|x|1/4+|x|1/2-cosx=0(  )。A 无实根B 有且仅有一个实根C 至少有两个实根D 有无穷多个实根

考题 单选题若f(x)在区间[a,+∞)上二阶可导,且f(a)=A>0,f′(a)<0,f″(x)<0(x>a),则方程f(x)=0在(a,+∞)内(  )。A 没有实根B 有两个实根C 有无穷多个实根D 有且仅有一个实根

考题 问答题已知p:方程x2+mx+1=0有两个不等负实根。q:方程4x2+4(m-2)x+1=0无实根。若p或q为真,p且q为假。求实数m的取值范围。

考题 单选题方程x-cosx-1=0在下列区间中至少有一个实根的区间是().A (-≥,0)B (0,π)C (π,4)D (4,+∞)

考题 单选题根轨迹的分离点或会合点是特征方程的()。A 重根B 实根C 共轭虚根